半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 行标分册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料 著

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• 方法标准
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出版社： 中国标准出版社

ISBN：9787506677530

商品编码：29730247811

包装：平装

出版时间：2014-11-01

基本信息

书名：半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 行标分册

定价：170.00元

作者：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料

出版社：中国标准出版社

出版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677530

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：大16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

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内容提要

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半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。

目录

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YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法
YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法
YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法
YS/T 26-1992 硅片边缘轮廓检验方法
YS/T 34.1-2011 高纯砷化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定高纯砷中杂质含量
YS/T 34.2-2011 高纯砷化学分析方法 极谱法测定硒量
YS/T 34.3-2011 高纯砷化学分析方法 极谱法测定硫量
YS/T 35-2012 高纯锑化学分析方法 镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测定 高质量分辨率辉光放电质谱法
YS/T 37.1-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 硫氰酸汞分光光度法测定氯量
YS/T 37.2-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅量
YS/T 37.3-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定砷量
YS/T 37.4-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法测定镁、铝、钴、镍、铜、锌、铟、铅、钙、铁和砷量
YS/T 37.5-2007 高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法测定铁量
YS/T 38.1-2009 高纯镓化学分析方法 部分：硅量的测定 钼蓝分光光度法
YS/T 38.2-2009 高纯镓化学分析方法 第2部分：镁、钛、铬、锰、镍、钴、铜、锌、镉、锡、铅、铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
YS/T 226.1-2009 硒化学分析方法 部分：铋量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 226.2-2009 硒化学分析方法 第2部分：锑量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 226.3-2009 硒化学分析方法 第3部分：铝量的测定 铬天青S-溴代十六烷基吡啶分光光度法
YS/T 226.4-2009 硒化学分析方法 第4部分：汞量的测定 双硫腙-四氯化碳滴定比色法
YS/T 226.5-2009 硒化学分析方法 第5部分：硅量的测定 硅钼蓝分光光度法
YS/T 226.6-2009 硒化学分析方法 第6部分：硫量的测定 对称二苯氨基脲分光光度法
YS/T 226.7-2009 硒化学分析方法 第？部分：镁量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.8-2009 硒化学分析方法 第8部分：铜量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.9-2009 硒化学分析方法 第9部分：铁量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.10-2009 硒化学分析方法 0部分：镍量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.11-2009 硒化学分析方法 1部分：铅量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 226.12-2009 硒化学分析方法 2部分：硒量的测定 硫代钠容量法
YS/T 226.13-2009 硒化学分析方法 3部分：银、铝、砷、硼、汞、铋、铜、镉、铁、镓、铟、镁、镍、铅、硅、锑、锡、碲、钛、锌量的测定 电感耦合等离子体质谱法
YS/T 227.1-2010 碲化学分析方法 部分：铋量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 227.2-2010 碲化学分析方法 第2部分：铝量的测定 铬天青S-溴代十四烷基吡啶胶束增溶分光光度法
YS/T 227.3-2010 碲化学分析方法 第3部分：铅量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 227.4-2010 碲化学分析方法 第4部分：铁量的测定 邻菲哕啉分光光度法
YS/T 227.5 2010 碲化学分析方法 第5部分：硒量的测定 2，3-=氨基萘分光光度法
YS/T 227.6-2010 碲化学分析方法 第6部分：铜量的测定 固液分离-火焰原子吸收光谱法
YS/T 227.7-2010 碲化学分析方法 第7部分：硫量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
YS/T 227.8-2010 碲化学分析方法 第8部分：镁、钠量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 227.9-2010 碲化学分析方法 第9部分：碲量的测定 重铬酸钾-亚铁铵容量法
YS/T 227.10-2010 碲化学分析方法 0部分：砷量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 227.11-2010 碲化学分析方法 1部分：硅量的测定 正丁醇萃取硅钼蓝分光光度法
YS/T 227.12 2011 碲化学分析方法 2部分：铋、铝、铅、铁、硒、铜、镁、钠、砷量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
YS/T 229.1-2013 高纯铅化学分析方法 部分：银、铜、铋、铝、镍、锡、镁和铁量的测定化学光谱法
YS/T 229.2-2013 高纯铅化学分析方法 第2部分：砷量的测定 原子荧光光谱法
YS/T 229.3-2013 高纯铅化学分析方法 第3部分：锑量的测定 原子荧光光谱法
YS/T 229.4-2013 高纯铅化学分析方法 第4部分：痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法
YS/T 276.1-2011 铟化学分析方法 部分：砷量的测定 氢化物发生-原子荧光光谱法
YS/T 276.2-2011 铟化学分析方法 第2部分：锡量的测定 苯基荧光酮-溴代十六烷基三甲胺分光光度法
YS/T 276.3-2011 铟化学分析方法 第3部分：铊量的测定 甲基绿分光光度法
YS/T 276.4-2011 铟化学分析方法 第4部分：铝量的测定 铬天青S分光光度法
YS/T 276.5-2011 铟化学分析方法 第5部分：铁量的测定 方法1：电热原子吸收光谱法方法2：火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.6-2011 铟化学分析方法 第6部分：铜、镉、锌量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.7-2011 铟化学分析方法 第7部分：铅量的测定 火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.8-2011 铟化学分析方法 第8部分：铋量的测定 方法1：氢化物发生-原子荧光光谱法 方法2：火焰原子吸收光谱法
YS/T 276.9-2011 铟化学分析方法 第9部分：铟量的测定 Na2 EDTA滴定法
YS/T 276.10-2011 铟化学分析方法 0部分：铋、铝、铅、铁、铜、镉、锡、铊量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
YS/T 276.11-2011 铟化学分析方法 1部分：砷、铝、铅、铁、铜、镉、锡、铊、锌、铋量的测定电感耦合等离子体质谱法
YS/T 519.1-2009 砷化学分析方法 部分：砷量的测定 溴酸钾滴定法
YS/T 519.2-2009 砷化学分析方法 第2部分：锑量的测定 孔雀绿分光光度法
YS/T 519.3-2009 砷化学分析方法 第3部分：硫量的测定 钡重量法
YS/T 519.4-2009 砷化学分析方法 第4部分：铋、锑、硫量的测定 电感耦合等离子体原子发
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作者介绍

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文摘

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序言

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《半导体材料标准汇编（2014版）——方法标准 行标分册》 概览 《半导体材料标准汇编（2014版）——方法标准 行标分册》是一部深度聚焦半导体材料检测、表征及相关工艺方法标准的权威性参考书籍。本书汇集了2014年我国在半导体材料领域发布的最新、最重要的方法标准，由行业内专家精心编撰与审订，旨在为半导体材料的研发、生产、质量控制以及技术交流提供一套系统、规范、可靠的技术依据。本书的出版，对于提升我国半导体材料的整体技术水平，促进产业健康发展，具有里程碑式的意义。 内容构成与侧重点 本书的内容严格遵循“方法标准”的定位，不涉及材料本身的化学成分、物理性能参数的详细罗列，而是将重点放在如何科学、准确、有效地测量和评估这些材料的各项指标，以及相关的工艺操作规范上。全书按照方法标准的通用性和专业性，分为若干章节，每个章节聚焦于一类或一系列相关的检测方法、分析技术或工艺标准。 第一部分：通用检测方法 本部分收录了适用于多种半导体材料的通用检测方法标准。这些标准构成了半导体材料质量控制的基础，确保了不同类型材料在基本属性上的可比性和可靠性。 化学成分分析方法： 涵盖了针对半导体材料中痕量杂质、掺杂元素以及表面化学态的多种分析技术。例如，可能包括： 光谱分析法： 如原子吸收光谱法（AAS）、电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES）、电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）等，用于定量分析材料中的金属杂质元素，其检出限极低，是痕量分析的关键技术。标准会详细规定样品前处理、仪器参数设置、校准曲线绘制、数据计算与报告要求。 色谱分析法： 如气相色谱法（GC）、液相色谱法（LC），适用于分析材料中的有机杂质、挥发性组分等。标准会明确溶剂选择、色谱柱类型、载气/流动相、检测器类型、进样量、温度程序等关键操作细节。 电化学分析法： 例如，极谱法、循环伏安法，可能用于某些特定元素的分析或电化学性能的表征。标准会规定电解液配制、电极选择、扫描速率、工作电位范围等。 X射线荧光光谱法（XRF）： 作为一种无损的元素分析方法，XRF在材料成分的快速、定性或半定量分析中发挥重要作用。标准会详细说明样品制备（如压片、熔融）、仪器激发条件、谱图解析等。 物理性能测量方法： 关注材料宏观及微观物理特性的标准化测量。 尺寸及形貌测量： 包括但不限于尺寸（如晶圆直径、厚度）、表面粗糙度、形貌特征等的测量方法。可能涉及光学显微镜、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）等仪器的使用规范，以及图像处理和数据分析的原则。 密度及堆积密度测量： 对于粉末状或多孔性半导体材料，密度是重要的参数。标准会详细规定测量仪器（如比重瓶法、气体比重计法）的操作步骤和结果计算。 粒度及粒径分布测量： 对于纳米材料或粉体材料，粒度是影响其性能的关键因素。标准会涵盖激光衍射法、筛分法、沉降法等多种测量方法的原理、仪器配置、样品处理及结果表示。 孔隙率及比表面积测量： 对于多孔半导体材料，这些参数对于催化、吸附等应用至关重要。标准会详细介绍BET（Brunauer-Emmett-Teller）吸附-脱附法等测量技术。 第二部分：半导体材料专用检测方法 这部分内容更加聚焦于半导体材料特有的关键性能和结构表征，是区分和评价不同半导体材料等级和应用潜力的核心。 晶体缺陷检测与表征： 位错密度测量： 采用化学腐蚀或肖特基结etching等技术，在晶体表面产生特征缺陷图形，通过显微镜计数来评估位错密度。标准会明确腐蚀剂的配方、腐蚀时间、显微镜放大倍率、计数区域大小等。 夹杂物及第二相分析： 使用光学显微镜、SEM/EDS（能量色散X射线光谱仪）或TEM（透射电子显微镜）等技术，识别和分析材料内部的非均质相。标准会规范样品制备（如抛光、etching）、成像模式、能谱分析的参数设置和结果判读。 晶界和晶面取向分析： 例如，采用Laue衍射法或X射线单晶衍射法确定晶体的取向和晶面。标准会规定样品制备、衍射图案的获取和解析方法。 电学性能测量方法： 电阻率及霍尔效应测量： 这是半导体材料最基本、最重要的电学参数。标准会详细介绍四探针法（用于电阻率）、霍尔效应法（用于载流子浓度、迁移率、载流子类型）的样品几何要求、电极制作、电流/电压施加、测量仪器配置、温度控制以及数据处理的流程和注意事项。 载流子浓度分布测量： 如采用CV（电容-电压）法等，通过测量PN结或MOS（金属-氧化物-半导体）结构的电容随电压的变化来推断载流子浓度的深度分布。标准会规定测试结构的设计、测量频率、扫描范围、数据拟合算法等。 漏电流和击穿电压测量： 对于绝缘层材料或器件，这些参数至关重要。标准会规定测试电路、测试电压步长、漏电流阈值、击穿电压的判定标准等。 表面电势和功函数测量： 可能采用Kelvin探针法（KPFM）等技术。标准会规定探针尖端处理、扫描参数、环境控制等。 光学性能测量方法： 吸收光谱和透射光谱测量： 使用紫外-可见分光光度计、红外光谱仪等，测量材料在不同波长下的吸收或透射能力，用于确定材料的带隙、吸收系数等。标准会规范样品制备（如薄膜沉积、抛光）、仪器工作模式、数据校准等。 反射光谱测量： 评估材料的反射特性，在光学器件和涂层领域有重要应用。标准会规定反射角、样品放置等。 光致发光（PL）和电致发光（EL）测量： 用于表征半导体材料的发光特性、缺陷态的跃迁等。标准会详细说明激发源（激光、电子束）、探测器、光谱分辨率、温度控制等。 热学性能测量方法： 热导率测量： 采用瞬态或稳态热测量技术。标准会规定样品尺寸、接触热阻处理、加热功率、温度采集等。 热膨胀系数测量： 使用膨胀仪或光学干涉仪。标准会详细说明加热速率、温度范围、传感器精度等。 比热容测量： 可能采用差示扫描量热法（DSC）。标准会规定样品质量、升温速率、参比材料等。 表面和界面表征方法： 表面形貌和粗糙度： 详细介绍AFM、SEM等在表面形貌观测和粗糙度量化方面的应用。 表面成分分析： 如XPS（X射线光电子能谱）、AES（俄歇电子能谱），用于分析材料表面的元素组成和化学状态。标准会规范样品制备（如清洗、溅射）、X射线/电子束能量、探测角度、谱图解析等。 界面形貌和成分分析： 采用TEM/EDS/EELS（电子能量损失谱）等技术，深入分析多层结构材料中的界面。标准会详细指导样品制备（如FIB制样、超薄切片）、高分辨成像设置、能谱分析区域选择等。 第三部分：半导体材料相关工艺标准 本部分内容涉及半导体材料在生产、加工过程中的关键工艺操作规范，旨在保证工艺的可重复性、稳定性和产品质量。 材料制备与生长工艺： 外延生长方法： 如MOCVD（金属有机化学气相沉积）、MBE（分子束外延）等工艺过程中的参数控制，如反应气体流量、反应温度、压力、生长速率等。标准会提供指导性的操作流程和参数范围。 晶体生长与提纯： 如直拉法、区熔法等晶体生长过程中的温度梯度、坩埚材料、气氛控制等。 粉体制备与烧结： 对于陶瓷或纳米粉体材料，涉及球磨、喷雾干燥、压制、烧结温度、升温速率、气氛等工艺参数的控制。 薄膜沉积与处理工艺： 物理气相沉积（PVD）： 如溅射、蒸发等工艺的靶材选择、溅射功率、气体压力、基板温度、沉积速率等。 化学气相沉积（CVD）： 包括PECVD（等离子体增强CVD）、ALD（原子层沉积）等，工艺参数如前驱体气体种类及流量、反应气体、温度、压力、等离子体功率等。 热处理与退火工艺： 各种气氛（如氮气、氢气、真空）下的退火温度、时间、升降温速率等。 刻蚀工艺： 干法刻蚀（等离子体刻蚀）和湿法刻蚀的工艺参数，如刻蚀气体、功率、压力、温度、刻蚀时间、掩膜版选择等。 清洁与表面处理工艺： 化学清洗方法： 针对不同材料和污染物的清洁剂选择、清洗时间、温度、超声辅助等。 等离子体清洁： 气体种类、功率、时间等参数的控制。 表面钝化处理： 保护材料表面，防止氧化或腐蚀。 本书的价值与适用人群 研发人员： 为新材料的研发提供准确可靠的性能评估手段，确保研发方向的科学性。 生产工程师： 为生产过程中的质量控制提供标准化的检测依据，优化工艺参数，提高产品合格率。 质量检验员： 提供权威的检测方法和判定标准，确保产品质量符合行业要求。 技术管理人员： 为技术决策提供重要的参考信息，评估引进技术的可靠性。 高校师生： 作为教材或参考书，帮助学生系统学习半导体材料的检测技术和行业标准。 标准制定与研究机构： 为相关标准的更新和制定提供理论与实践基础。 《半导体材料标准汇编（2014版）——方法标准 行标分册》并非简单罗列，而是对每项标准的内容、适用范围、原理、操作步骤、注意事项、结果计算与表示等方面进行了系统性阐述。书中详尽的图表、流程图和实例分析，将帮助读者更直观地理解复杂的检测过程和技术细节。本书的出版，标志着我国在半导体材料检测方法标准化方面迈上了新的台阶，为相关产业的国际化接轨和技术竞争力提升奠定了坚实的基础。

评分☆☆☆☆☆

这本书的装帧和印刷质量，坦白地说，与它所代表的行业标准地位并不完全匹配。在阅读过程中，我发现有几处图表的数据标记模糊不清，尤其是一些涉及复杂化学结构式或能带图的插图，线条的灰度和清晰度严重影响了对关键数值的辨识。这对于技术标准文献来说是致命的缺陷，因为在实际应用中，即便是小数点后的一个数字的差异，也可能导致批次报废。更让我感到困扰的是，某些标准的引用格式和术语的一致性似乎没有得到严格的把控。有时同一个物理量会被用不同的符号表示，或者某个关键的术语在不同章节中被赋予了略有偏差的定义，这无疑增加了理解和引用的难度。技术标准的核心价值在于其绝对的清晰和无歧义性，这种在细节上的疏漏，让读者在引用和执行这些规范时，总会留存一丝“是否理解完全正确”的疑虑，这与我们追求的零缺陷目标是背道而驰的。

评分☆☆☆☆☆

作为一名主要关注材料表征技术的人士，我对这本书中关于标准测试方法的细节关注度极高。我本来非常期待能看到关于高分辨透射电子显微镜（HRTEM）在评估界面态密度时，如何校准图像采集参数以最小化像差影响的具体指导。然而，书中对这些前沿微观成像技术的描述，大多停留在宏观的仪器配置和结果报告要求上，对于如何处理实验过程中的系统误差和随机噪声，缺乏深入的讨论。特别是涉及到原子力显微镜（AFM）在亚纳米尺度形貌测量时的环境控制要求，内容显得有些笼统。我理解标准化的目标是追求通用性和可重复性，但这不应该以牺牲对关键实验细节的精确指导为代价。一套好的标准，应该能够指导一个水平稍逊的实验室，通过严格遵循步骤，也能得到接近权威实验室的结果。目前这本书的某些部分，更像是对既定结论的确认，而非对获取可靠数据的“手把手”教学。

评分☆☆☆☆☆

从宏观的行业视角来看，这本书的内容固然是对现有成熟半导体材料体系的一种重要固化和维护，它为产业链的稳定运行提供了基石。但我不得不指出，它似乎对未来十年内可能颠覆现有材料体系的趋势反应稍显迟滞。例如，在柔性电子、自旋电子学或者完全依赖于三维结构集成的材料领域，对界面化学、本征缺陷工程的理解已经远远超出了现有标准所能覆盖的范围。我希望看到的是，在这些新兴领域，标准制定者能够更积极地介入，不是去固化已被证实的最佳实践，而是去建立一套“面向未来的、可快速迭代的”测试框架。这本书更像是对过去五年行业共识的一次精准记录，但对于前沿的、那些尚未形成广泛共识但潜力巨大的研究方向，它的声音显得非常微弱，甚至可以说是一种“声音的缺失”。这使得它更像是一份详尽的历史档案，而非一份驱动产业前进的路线图。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计，嗯，怎么说呢，挺“专业”的，那种一眼看上去就透着一股官方气息的严肃感。我本来是抱着极大的期待想从中找到一些关于新一代半导体材料研发方向的真知灼见，比如氮化镓（GaN）或者碳化硅（SiC）在先进封装方面的最新工艺控制参数，或者是关于量子点材料的批次间一致性评估的细致流程。结果呢，翻阅下来，感觉内容更偏向于基础的、已经被广泛应用多年的材料的质量控制和检测方法规范。那些复杂的晶圆缺陷分类标准，或者特定厚度薄膜的椭偏测量规程，虽然在规范性方面无可挑剔，但对于一个需要前沿技术突破的研发人员来说，信息密度实在是不够“刺激”。我更希望看到的是，面对下一代器件结构对材料纯度、界面控制提出的近乎苛刻的要求时，行业内有哪些尚未完全标准化的、正在探索中的新方法论或者对现有标准的修订建议。总而言之，它更像是一本确保现有生产线稳定运行的“安全手册”，而不是一本引领未来技术方向的“探路地图”。我花了大量时间去查找关于新型异质结生长过程中应力释放机制的实验数据对比，但似乎主要集中在如何准确测量和报告现有材料的宏观力学性能上。

评分☆☆☆☆☆

说实话，这本书的结构安排，初看起来似乎是按照材料类型或者检测方法逻辑清晰地划分了章节，但深入阅读后，我发现不同方法标准之间的衔接和内在逻辑关联性处理得比较生硬。例如，关于特定痕量金属杂质的ICP-MS检测方法介绍完毕后，紧接着就是关于硅片表面粗糙度评估的标准，两者之间似乎缺乏一个将材料微观结构与宏观电学性能关联起来的桥梁。我个人是希望看到一个更加系统化的框架，比如可以按照“材料设计—制备工艺—性能表征—可靠性评估”的完整链条来组织这些标准，这样即便是不同类别的标准，也能形成一个相互印证、相互支撑的知识体系。现在这种并列式的罗列，让读者在试图构建一个完整的材料理解模型时，不得不花费额外的精力去进行跨章节的知识点整合。对于一个需要快速掌握某一类材料全流程控制要点的工程师来说，这种分散感确实影响了阅读效率和知识的内化过程。期待未来版本能引入更多的案例分析或流程图，来展示如何将这些孤立的检测标准整合为一个有效的质量管理体系。