环境学概论（第二版）/普通高等教育“十二五”规划教材 pdf epub mobi txt 电子书 下载 在线阅读 2026

内容简介

　　《环境学概论（第二版）/普通高等教育“十二五”规划教材》全面、系统地阐述了环境科学的基本概念、原理、方法和应用。
　　《环境学概论（第二版）/普通高等教育“十二五”规划教材》内容包括绪论、自然资源的利用与保护、生态学基础、能源与清洁能源、大气污染及其防治、水体污染及其防治、固体废物污染及其防治、物理性污染及其防治、土壤污染及其修复、环境规划与管理、环境监测与环境质量评价等。

内页插图

目录

第二版前言

第1章 绪论
1.1 环境
1.1.1 环境的概念
1.1.2 环境要素及其属性
1.1.3 地球环境的构成
1.1.4 环境的功能
1.1.5 环境承载力
1.2 环境问题
1.2.1 环境问题的由来与发展
1.2.2 当前世界面临的主要环境问题及其危害
1.3 环境科学
1.3.1 环境科学的产生
1.3.2 环境科学的研究对象和任务
1.3.3 环境科学的分支学科
1.4 环境与可持续发展
1.4.1 可持续发展思想的由来
1.4.2 可持续发展的内涵与基本原则
1.4.3 可持续发展战略的实施途径
复习与思考

第2章 自然资源的利用与保护
2.1 自然资源概述
2.1.1 自然资源的定义
2.1.2 自然资源的分类
2.1.3 自然资源的属性
2.2 土地资源的利用与保护
2.2.1 土地资源的概念与特点
2.2.2 土地资源开发利用中的环境问题
2.2.3 土地资源保护的途径和方法
2.3 水资源的利用与保护
2.3.1 水资源的概念和特点
2.3.2 水资源开发利用中的环境问题
2.3.3 水资源保护的途径和方法
2.4 矿产资源的利用与保护
2.4.1 矿产资源的特点
2.4.2 矿产资源开发利用中的环境问题
2.4.3 矿产资源保护的原则和方法
2.5 森林资源的利用与保护
2.5.1 森林资源的概念与特点
2.5.2 森林资源开发利用中的环境问题
2.5.3 森林资源保护的原则与方法
复习与思考

第3章 生态学基础
3.1 生态学
3.1.1 生态学的概念
3.1.2 生态学的发展
3.2 生态系统
3.2.1 生态系统的概念
3.2.2 生态系统的组成和结构
3.2.3 生态系统的类型
3.2.4 生态系统的功能
3.3 生态平衡
3.3.1 生态平衡的概念
3.3.2 生态平衡的破坏
3.3.3 生态平衡的重建
3.4 生态学在环境保护中的应用
3.4.1 对环境质量的生物监测与生物评价
3.4.2 对污染环境的生物净化
3.4.3 制定区域生态规划，建设生态型城市
3.4.4 发展生态农业
复习与思考

第4章 能源与清洁能源
4.1 能源的定义和分类
4.1.1 能源的定义
4.1.2 能源的分类
4.2 我国能源的特点与存在的问题
4.2.1 我国能源的特点
4.2.2 我国能源存在的问题
4.3 能源开发利用对环境的影响
4.4 清洁能源
4.5 能源发展战略及其趋势
4.5.1 我国能源发展战略和主要对策
4.5.2 世界的能源需求和发展趋势
复习与思考

第5章 大气污染及其防治
5.1 大气污染概述
5.1.1 大气污染的定义和大气污染源
5.1.2 大气污染物及其危害
5.2 大气污染物的扩散
5.2.1 影响大气污染物扩散的气象因素
5.2.2 大气污染物扩散与下垫面的关系
5.3 大气污染综合防治
5.3.1 减少大气污染物的产生量和排放量
5.3.2 合理利用大气环境容量
5.3.3 完善绿地系统，发展植物净化
5.3.4 严格大气环境管理
复习与思考

第6章 水体污染及其防治
6.1 水体污染概述
6.1.1 水体污染的定义和水体污染源
6.1.2 水体中的主要污染物及其危害
6.2 水体自净
6.2.1 物理过程
6.2.2 化学和物理化学过程
6.2.3 生物化学过程
6.3 水体污染综合防治
6.3.1 源头控制，减少污染物的排放负荷
6.3.2 提高或充分利用水体自净能力
6.3.3 水体污染源控制工程技术
复习与思考

第7章 固体废物污染及其防治
7.1 固体废物概述
7.1.1 固体废物的分类？来源及特性
7.1.2 固体废物的环境问题
7.1.3 化学工业有害废物对人类和环境的危害
7.2 固体废物的管理原则
7.3 固体废物污染综合防治对策
7.3.1 固体废物减量化对策与措施
7.3.2 固体废物资源化与综合利用
7.3.3 固体废物的无害化处理处置
7.3.4 城市生活垃圾处理系统简介
复习与思考

第8章 物理性污染及其防治
8.1 噪声污染及其防治
8.1.1 声音与噪声
8.1.2 噪声的主要特征及其来源
8.1.3 噪声污染的危害
8.1.4 噪声污染综合防治
8.2 电磁辐射污染及其防治
8.2.1 电磁辐射源及其危害
8.2.2 电磁辐射污染的防治
8.3 放射性污染及其防治
8.3.1 放射性污染源
8.3.2 放射性污染对人类的危害
8.3.3 放射性污染的控制
8.4 热污染及其防治
8.4.1 热污染及其危害
8.4.2 热污染防治
8.5 光污染及其防治
8.5.1 光污染及其危害
8.5.2 光污染防治
复习与思考

第9章 土壤污染及其修复
9.1 土壤污染概述
9.1.1 土壤污染的定义
9.1.2 土壤污染物与污染源
9.1.3 土壤污染的发生类型及其影响因素
9.1.4 土壤污染的危害
9.2 土壤环境的自净作用
9.2.1 物理净化作用
9.2.2 物理化学净化作用
9.2.3 化学净化作用
9.2.4 生物净化作用
9.3 污染土壤修复技术
9.3.1 物理修复技术
9.3.2 化学修复技术
9.3.3 植物修复技术
9.3.4 微生物修复技术
9.3.5 污染土壤修复技术选择的原则
复习与思考

第10章 环境规划与管理
10.1 环境规划与管理的含义
10.1.1 环境规划的含义
10.1.2 环境管理的定义
10.1.3 环境管理与环境规划的关系
10.1.4 环境规划与管理的目的？任务和作用
10.2 环境规划与管理的对象和手段
10.2.1 环境规划与管理的对象
10.2.2 环境规划与管理的手段
10.3 环境规划与管理的内容
10.3.1 环境规划的内容
10.3.2 环境管理的内容
复习与思考

第11章 环境监测与环境质量评价
11.1 环境监测
11.1.1 环境监测概述
11.1.2 环境监测的程序与方法
11.1.3 城市环境监测
11.2 环境质量评价
11.2.1 环境质量评价概述
11.2.2 环境质量现状评价
11.2.3 环境影响评价
复习与思考

主要参考文献

前言/序言

好的，这是一本针对特定学科领域（非您提供的《环境学概论（第二版）/普通高等教育“十二五”规划教材》）的详细图书简介，力求内容充实且具有专业性。 --- 图书名称：《先进半导体材料与器件物理基础：第三版》 图书简介 《先进半导体材料与器件物理基础（第三版）》 是一部全面、深入且与时俱进的专著，旨在系统阐述构成现代电子信息技术核心的半导体材料的本征物理特性、先进制造工艺中的关键科学问题，以及由此衍生的各类新型半导体器件的工作原理与性能极限。本书第三版在继承前两版严谨学术风格的基础上，深度整合了近十年半导体领域，特别是宽禁带半导体（如GaN、SiC）、二维材料（如石墨烯、过渡金属硫化物）以及先进集成技术（如FinFET、TFET）的最新研究进展。 本书结构严谨，内容覆盖从基础理论到前沿应用的完整知识链条，特别适合高等院校本科高年级学生、研究生、以及从事半导体材料研发、器件设计与制造的工程师和科研人员作为核心参考用书。 --- 第一部分：半导体本征物理与材料科学基础 本部分奠定了理解所有半导体器件的理论基石，并聚焦于材料的微观结构与宏观电学、光学特性的关联。 第一章：晶体结构与能带理论的再审视 本章首先回顾了晶体结构的基本概念，重点阐述了布拉维点阵、倒易点阵及其在周期性势场中电子行为描述中的应用。深入解析了晶体动量守恒、布洛赫定理及其在计算半导体带结构中的关键作用。详细讨论了有效质量概念的物理内涵，并引入了紧束缚法（Tight-Binding Method）作为计算复杂能带结构的有效工具。对于III-V族和IV族半导体的价带顶和导带底的精确位置、有效态密度计算方法进行了详尽的推导与讨论。 第二章：载流子输运现象与动力学 本章聚焦于在电场、磁场及温度梯度作用下半导体内部电荷载流子的复杂输运行为。除了传统的漂移-扩散模型外，本版新增了对高场强下载流子散射机制（如声子散射、载流子-载流子散射）的深入分析，探讨了饱和速度效应的物理根源。重点介绍了蒙特卡洛（Monte Carlo）模拟方法在预测复杂器件中载流子行为中的应用，并详述了霍尔效应在材料参数（如载流子浓度、迁移率）精确测量中的应用。 第三章：半导体界面与异质结构 界面的物理和化学特性是决定异质结器件性能的关键。本章详细分析了理想界面、表面态的形成机制及其对器件性能（如肖特基势垒、欧姆接触）的影响。深入探讨了晶格失配导致的应变效应，特别是当应变场影响能带结构和载流子迁移率时的物理机制。对最常用的III-V族异质结构（如GaAs/AlGaAs）的能带对齐、阶梯型势阱和量子阱的形成原理进行了精细的数学建模。 --- 第二部分：先进半导体材料与工艺挑战 本部分将理论基础应用于当代半导体制造面临的前沿材料体系和工艺难题。 第四章：宽禁带半导体：GaN与SiC的突破 针对功率电子和高频射频应用的需求，本章系统介绍了氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的独特物理性质，如极高的击穿电场、优异的电子饱和速度和热导率。重点分析了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2DEG）的形成机理、高电子迁移率的实现路径，以及功率HEMT器件中的陷阱效应和可靠性问题。对于SiC，详细讨论了其多型（Polytype）对器件性能的影响及高温工作下的稳定性。 第五章：二维材料的电子特性与调控 本章将焦点转向新兴的二维材料。详细解析了石墨烯的狄拉克锥结构、零带隙特性及其在超高速电子学中的潜力与挑战。对过渡金属硫化物（TMDs，如MoS2, WSe2）的层依赖性带隙、激子（Exciton）的形成与稳定性进行了深入研究。重点讨论了如何通过电场、机械应变或表面化学修饰等手段，实现对这些二维材料的带隙工程和载流子调控。 第六章：半导体薄膜生长与缺陷工程 高质量薄膜的制备是集成电路的基础。本章详细对比了分子束外延（MBE）、金属有机物化学气相沉积（MOCVD）和原子层沉积（ALD）等主流生长技术的物理化学原理。特别关注了薄膜生长过程中的成核机制、岛状生长与二维生长模式的转变。此外，深入探讨了材料缺陷（如位错、点缺陷、夹杂物）的识别方法（如透射电镜分析）及其对器件寿命和效率的负面影响，并介绍了缺陷钝化和缺陷工程的策略。 --- 第三部分：前沿半导体器件物理与性能极限 本部分将前述材料与工艺知识应用于解析和设计下一代关键器件。 第七章：MOSFET结构演进与短沟道效应 本章从经典MOSFET的电学模型出发，详细推导了短沟道效应（SCE）的物理机制，包括阈值电压滚降（Vth Roll-off）和DIBL效应。深入分析了FinFET和环绕栅（GAA）结构如何通过空间静电控制的增强来抑制短沟道效应，并解释了其在亚10nm技术节点中的物理优势。讨论了SOI（绝缘体上硅）技术在降低寄生电容和提高抗辐射性能方面的作用。 第八章：隧道效应器件与低功耗电子学 针对后摩尔时代对低功耗的需求，本章聚焦于利用量子力学隧穿效应的器件。详细分析了隧道二极管（Tunnel Diode）的工作原理，并重点阐述了新型的隧穿场效应晶体管（TFET）。推导了TFET的亚阈值摆幅（SS）理论极限，并讨论了如何通过带隙工程和界面优化来提高TFET的开关速度和能效比。 第九章：光电器件与量子限制效应 本章探讨了半导体在光电转换中的应用。对PN结在正向偏压下的载流子复合机制进行了详尽分析，推导出LED的发光效率公式，并讨论了量子点（Quantum Dots）和量子阱（Quantum Wells）在提高发光颜色纯度和效率方面的优势。在光探测器方面，详细阐述了雪崩光电二极管（APD）和PIN光电二极管的工作原理及其噪声特性。 --- 总结与展望 本书第三版不仅是基础理论的集大成者，更是连接当前半导体产业脉搏的桥梁。每一章的论述均辅以大量的例题和习题，旨在帮助读者将抽象的物理概念转化为解决实际工程问题的能力。未来的半导体技术将更加依赖于跨学科的交叉创新，本书提供的坚实物理基础，将确保读者能够理解并参与到下一代信息技术和功率电子器件的创新浪潮中。 页数： 约1200页 装帧： 精装 ISBN： [留空或虚构编号]