半导体物理性能手册：第2卷（下） 下载 mobi epub pdf 电子书 2024

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内容简介

Cubic Gallium Nitride (β-GaN);Gallium Phosphide (GAP);Gallium Arsenide (GaAs);Gallium Antimonide (GaSb);Indium Nitride (INN);Indium Phosphide (InP);Indium Arsenide (InAs);Indium Antimonide (InSb)等。

目录

Preface
Acknowledgments
Contents of Other Volumes
10 Wurtzite Gallium Nitride（a—GaN）
10.1 Structural Properties / 233
10.1.1 Ionicity / 233
10.1.2 Elemental Isotopic Abundance and Molecular Weight / 233
10.1.3 Crystal Structure and Space Group / 234
10.1.4 Lattice Constant and Its Related Parameters / 234
10.1.5 Structural Phase Transition / 235
10.1.6 Cleavage Plane / 235
10.2 Thermal Properties / 236
10.2.1 Melting Point and Its Related Parameters / 236
10.2.2 Specific Heat / 236
10.2.3 Debye Temperature / 237
10.2.4 Thermal Expansion Coefficient / 238
10.2.5 Thermal Conductivity and Diffusivity / 239
10.3 Elastic Properties / 240
10.3.1 Elastic Constant / 240
10.3.2 Third—Order Elastic Constant / 241
10.3.3 Young's Modulus， Poisson's Ratio， and Similar
……
11 Cubic Gallium Nitride （β—GaN）
12 Gallium Phosphide （GAP）
13 Gallium Arsenide （GaAs）
14 Gallium Antimonide （GaSb）
15 Indium Nitride （INN）
16 Indium Phosphide （InP）
17 Indium Arsenide （InAs）
18 Indium Antimonide （InSb）

前言/序言

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