2009年SiC MOSFET晶体管已经可以量产,输出为100A的SiC二极管大批量问世。
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评分目前,SiC器件已被用于混合动力汽车和电动汽车设备中。2008年9月日本丰田公司开发出了SiC二极管逆变器,应用于X-TRAIL FCV型汽车进行道路行驶实验。同月,本田汽车公司已用SiC器件制出了电源模块。2009年日本开发的SiC变频空调在市场上销售。日本大阪的关西电力公司,开发出SiC逆变器,用于阳光发电。欧洲意法半导体公司用于电源的SiC二极管目前已大批量市售。德国英飞凌公司批量生产体积小的SiC二极管和SiC型MOS场效应晶体管,2009年3月推出了第三代薄型 SiC肖特基二极管。据日本三菱公司的试验表明,电力变换器中使用的硅基耐压600V快速恢复二极管和IGBT。如果用SiC SBD(肖特基势垒二极管)和MOSFET管代替,功耗可降50%,甚至70%。SiC的工作环境可稳定地提高至300℃,而硅不超过200℃。因此可减少散热器或不用散热器。此外,SiC器件可在高频下工作,在100KHz下使用的SiC器件已问世。
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评分2008年日本罗姆公司开发出了300A,耐压660V的10毫米见方的SiC二极管样品。传统产品因成品率低,只有几毫米见方的。一般情况下要扩大电流量就要增大芯片面积,然而芯片面积大则由于衬底质量的限制,成品率会降低。
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