美國Cree公司和日本羅姆公司在業界領先生産SiC的MOS場效應晶體管。SiC功率晶體管分3類:MOSFET、結型場效應及IGBT那樣的雙極型器件。前兩者為單極型器件。SiC晶體管的結構比SiC二極管復雜、因此成品率低、價格貴、影響其普及。然而對於耐壓1200伏的應用,SiC晶體管對於矽基晶體管的成本優勢己很明顯。
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