| 图书基本信息,请以下列介绍为准 | |||
| 书名 | 集成电路制造技术 | ||
| 作者 | 杜中一 | ||
| 定价 | 35.00元 | ||
| ISBN号 | 9787122262844 | ||
| 出版社 | 化学工业出版社 | ||
| 出版日期 | 2016-04-01 | ||
| 版次 | 1 | ||
| 其他参考信息(以实物为准) | |||
| 装帧:平装 | 开本:16开 | 重量:0.4 | |
| 版次:1 | 字数: | 页码: | |
| 插图 | |
| 目录 | |
| 内容提要 | |
| 《集成电路制造技术》全面系统地介绍了集成电路制造技术,内容包括集成电路制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀及掺杂。《集成电路制造技术》简要介绍了集成电路制造的基本理论基础,系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备,详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展,对于化合物半导体的使用越来越多,《集成电路制造技术》以半导体硅材料集成电路制造为主,兼顾化合物半导体材料集成电路制造,比如在介绍薄膜制备工艺中,《集成电路制造技术》用单独的一章介绍了如何通过金属有机物化学气相沉积来制备化合物半导体材料薄膜。《集成电路制造技术》可供集成电路制造行业从业人员学习参考,也可作为微电子、光电子等相关专业教材。 |
| 编辑推荐 | |
| 《集成电路制造技术》全面系统地介绍了集成电路制造技术,内容包括集成电路制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀及掺杂。《集成电路制造技术》简要介绍了集成电路制造的基本理论基础,系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备,详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展,对于化合物半导体的使用越来越多,《集成电路制造技术》以半导体硅材料集成电路制造为主,兼顾化合物半导体材料集成电路制造,比如在介绍薄膜制备工艺中,《集成电路制造技术》用单独的一章介绍了如何通过金属有机物化学气相沉积来制备化合物半导体材料薄膜。《集成电路制造技术》可供集成电路制造行业从业人员学习参考,也可作为微电子、光电子等相关专业教材。 |
| 作者介绍 | |
| 杜中一,大连职业技术学院,副院长,副教授研究方向:电子科学与技术一..教育背景 1997.9—2001.7 辽宁石油化工大学计算机科学专业,获理工学士学位。 2003.9—2006.7 大连理工大学机电专业,获工学硕士学位。二.著译作品(1)主编《SMT表面组装技术》电子工业出版社 2009年1月(2)主编《电子制造与封装》电子工业出版社 2010年3月(3)主编《半导体技术基础》化学工业出版社 2011年1月(4)主编《电类专业英语》电子工业出版社 2012年11月三.业务成果 主持完成省级及以上科研课题5项。 在全性刊物发表学术论文26篇,其中ISTP收录1篇,北大核心2篇。4项。横向课题3项。 |
| 序言 | |
阅读这本书的过程,就像是进行了一次精密的“微观世界探险”。杜中一教授的叙述风格非常严谨,逻辑链条清晰得令人赞叹。我感觉这本书的价值在于它对“良率”(Yield)这个核心概念的反复强调和深入剖析。在实际的晶圆制造中,良率是商业成败的关键,而影响良率的因素错综复杂,涉及到前道工序(FEOL)到后道工序(BEOL)的每一步。书中详细分析了金属互连技术的发展,从传统的铝布线到现在的铜互连,以及应力梯度对电迁移的影响,这部分内容对我理解芯片可靠性至关重要。更让我佩服的是,作者在讨论新工艺节点时,总是能敏锐地指出当前技术面临的瓶颈,比如FinFET到GAA(Gate-All-Around)的过渡中,静电控制的挑战和材料选择的权衡。这本书的知识点密度非常高,我不得不时常停下来,查阅一些相关的材料科学背景知识,但这种“带着问题去学习”的过程,反而加深了对内容本身的理解。
坦白说,这本书的专业术语和公式推导量是相当大的,初次接触可能会觉得有些吃力。但如果能坚持下来,你会发现它提供了一个无与伦比的全局观。与其他侧重于单个设备或软件仿真的书籍不同,杜中一的《集成电路制造技术》更注重“系统工程”的角度。比如,在讨论先进封装技术(如Chiplet、2.5D/3D集成)时,作者将制造的视角从传统的平面扩展到了空间维度,探讨了TSV(硅通孔)的制造难度、热管理问题以及如何通过先进的引线键合技术实现高密度互连。这让我意识到,现代半导体制造早已超越了单纯的“制程微缩”,而是转向了“异构集成”的新范式。书中对这些前沿趋势的把握精准且富有洞察力,使得这本书不仅是一本回顾历史和现状的教材,更是一份指引未来技术发展方向的路线图。
这本《集成电路制造技术》的作者杜中一,从我个人的阅读体验来说,这本书的深度和广度都让人印象深刻。它不仅仅是简单地罗列一些工艺流程,而是深入探讨了半导体制造背后的物理原理和化学反应。比如,在光刻环节,作者对EUV(极紫外光刻)技术的讲解就非常到位,不仅描述了设备的工作原理,更重要的是分析了不同波长光刻胶的特性以及它们在纳米尺度下面临的挑战,比如散射、套刻精度等。我尤其欣赏的是,书中对薄膜沉积和刻蚀技术(特别是反应离子刻蚀RIE和深反应离子刻蚀DRIE)的系统性阐述。这些技术是决定芯片性能的关键所在,书中通过大量的图表和公式推导,将原本抽象的微观过程变得具体可感。对于我这种希望深入理解半导体器件物理基础的读者来说,这本书无疑提供了一个坚实的理论框架。它不是那种浮于表面的科普读物,而是需要读者具备一定基础知识才能完全吸收的专业教材,但一旦掌握,对整个IC设计和制造链条的理解都会提升到一个新的高度。
这本书的结构编排展现了作者深厚的教学经验。它不是按照时间顺序堆砌技术演进,而是紧密围绕“如何将硅片转化为功能性电路”这一主线展开。比如,在讨论掺杂技术时,作者没有仅仅介绍离子注入,而是细致地对比了扩散和注入在深度控制、激活效率上的差异,并结合后退火工艺来优化载流子浓度分布。这种从原理出发,再落脚到工艺控制的叙述方式,使得知识点之间形成了强大的内在联系。我特别喜欢书中对清洗和钝化工艺的描述,这些看似“简单”的步骤,实际上是决定最终器件性能和寿命的无名英雄。书中对超净室环境控制的侧重,也从侧面反映了集成电路制造对环境洁净度的极端要求。总的来说,这本书的知识体系非常完整,层次分明,适合系统性学习半导体制造的专业人士。
这本书的价值还在于它对细节的苛求和对误差的敏感性。在读取关于CMP(化学机械抛光)的章节时,我被深深震撼了。CMP远非简单的“打磨”,它涉及到复杂的化学反应、磨料的粒径分布、抛光液的配方,以及对表面应力的精确控制,以确保在去除多余材料的同时,保持极高的平坦度(几埃的误差都是不能接受的)。作者用生动的语言描述了如何通过控制这些变量来实现纳米级的精度,这让我对人类工程能力的边界有了更深刻的认识。这本书的阅读体验是挑战与回报并存的——它要求读者投入大量精力去理解那些隐藏在材料表象之下的物理化学本质,但一旦理解,任何关于芯片制造的新闻或进展在你眼中都将不再神秘,而是可以被追溯到书中的某个基本原理。