矽集成電路工藝基礎(第二版) 下載 mobi epub pdf 電子書 2024

基本信息

書名：矽集成電路工藝基礎(第二版)

定價：52.00元

作者：關旭東

齣版社：北京大學齣版社

齣版日期：2014-04-01

ISBN：9787301241097

字數：546000

頁碼：

版次：2

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

《矽集成電路工藝基礎（第二版）》非常值得推薦。

內容提要

　　《矽集成電路工藝基礎(第2版21世紀微電子學專業規劃教材普通高等教育十五*規劃教材)》係統地講述瞭矽集成電路製造的基礎工藝，重點放在工藝物理基礎和基本原理上。全書共十一章，其中章簡單地講述瞭矽的晶體結構和非晶體結構及其特點，第二章到第九章分彆講述瞭矽集成電路製造中的基本單項工藝，包括氧化、擴散、離子注入、物理氣相澱積、化學氣相澱積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連，後兩章分彆講述的是工藝集成和薄膜晶體管的製裝工藝。
　　《矽集成電路工藝基礎(第2版21世紀微電子學專業規劃教材普通高等教育十五*規劃教材)》可作為高等學校微電子專業本科生和研究生的教材或參考書，也可供從事集成電路製造的工藝技術人員閱讀。

目錄

章 矽晶體和非晶體
1.1 矽的晶體結構
1.1.l 晶胞
1.1.2 原子密度
1.1.3 共價四麵體
1.1.4 晶體內部的空隙
1.2 晶嚮、晶麵和堆積模型
1.2.1 晶嚮
1.2.2 晶麵
1.2.3 堆積模型
1.2.4 雙層密排麵
1.3 矽晶體中的缺陷
1.3.1 點缺陷
1.3.2 綫缺陷
1.3.3 麵缺陷
1.3.4 體缺陷
1.4 矽中的雜質
1.5 雜質在矽晶體中的溶解度
1.6 非晶矽結構和特性
1.6.1 非晶矽的結構
1.6.2 非晶網絡模型
1.6.3 非晶態半導體的製備方法.
1.6.4 非晶矽半導體中的缺陷
1.6.5 氫化非晶矽
1.6.6 非晶矽半導體中的摻雜效應
參考文獻
第二章 氧化
2.1 SiO2的結構及性質
2.1.1 結構
2.1.2 SiO2的主要性質
2.2 SiO2的掩蔽作用
2.2.1 雜質在SiO2中的存在形式
2.2.2 雜質在SiO2中的擴散係數
2.2.3 掩蔽層厚度的確定
2.3 矽的熱氧化生長動力學
2.3.1 矽的熱氧化
2.3.2 熱氧化生長動力學
2.3.3 熱氧化SiO2生長速率
2.4 決定氧化速率常數和影響氧化速率的各種因素
2.4.1 決定氧化速率常數的各種因素
2.4.2 影響氧化速率的其他因素
2.5 熱氧化過程中的雜質再分布
2.5.1 雜質的再分布
2.5.2 再分布對矽錶麵雜質濃度的影響
2.6 初始氧化及薄氧化層的製備
2.6.1 快速初始氧化階段
2.6.2 薄氧化層的製備
2.7 Si-SiO2界麵特性
2.7.1 可動離子電荷Qm
2.7.2 界麵陷阱(捕獲)電荷Qit
2.7.3 SiO2中固定正電荷Qf
2.7.4 氧化層陷阱電荷Qot
參考文獻
第三章 擴散
3.1 雜質擴散機製
3.1.1 間隙式擴散
3.1.2 替位式擴散
3.2 擴散係數與擴散方程
3.2.1 菲剋定律
3.2.2 擴散係數
3.2.3 菲剋第二定律(擴散方程)
3.3 擴散雜質的分布
3.3.1 恒定錶麵源擴散
3.3.2 有限錶麵源擴散
第四章 離子注入
第五章 物理氣相澱積
第六章 化學氣相澱積
第七章 外延
第八章 光刻工藝
第九章 金屬化與多層互聯
第十章 工藝集成
第十一章 薄膜晶體管製造工藝
附錄

作者介紹

關旭東，北京大學信息學院微電子係 職稱：教授 研究方嚮：矽集成電路的設計和規劃 主要作品：矽集成電路工藝基礎。

文摘

序言