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圖書標籤:

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店鋪： 蘭興達圖書專營店

齣版社： 高等教育齣版社

ISBN：9787040266252

商品編碼：1527287403

 

半導體物理學(上)+半導體物理學(下)(第2版) 2本

1.半導體物理學 第二版 上冊 書號：9787040225075
2.半導體物理學 第二版 下冊 書號：9787040266252

半導體物理學(上) 

• 齣版社: 高等教育齣版社; 第2版 (2007年10月1日)
• 外文書名: 
• 精裝: 646頁
• 語種： 簡體中文
• 開本: 16
• ISBN: 9787040225075
• 條形碼: 9787040225075
• 商品尺寸: 24 x 17.4 x 3 cm
• 商品重量: 1.1 Kg

目錄

重要符號錶
第1章 晶格結構和結閤性質
1.1 晶格的周期性
1.2 常見半導體的晶格結構
1.3 結閤性質
1.4 晶格缺陷
1.5 半導體錶麵的再構
第1章參考文獻

第2章 半導體中的電子狀態
2.1 晶體中的能帶
2.2 晶體中電子的運動 有效質量和有效質量近似
2.3 導電電子和空穴
2.4 常見半導體的能帶結構
2.5 雜質和缺陷能級
2.6 局域態的晶格弛豫
2.7 重摻雜半導體
2.8 錶麵態
第2章參考文獻

第3章 電子和空穴的統計平衡分布
3.1 費米分布函數
3.2 栽流子濃度對費米能的依賴關係
3.3 本徵載流子濃度  
3.4 含單一能級雜質情形的統計  
3.5 補償及多重能級情形的統計  
3.6 簡並情形的統計
3.7 化學勢和費米能
3.8 寬禁帶半導體的摻雜問題和自補償  
附錄3.1 若乾半導體的等效態密度(300K)
第3章參考文獻

第4章 電荷輸運現象
4.1 電導和霍爾效應的分析  
4.2 載流子的散射
4.3 電導統計理論
4.4 霍爾效應的統計理論
4.5 磁阻
4.6 強電場下的載流子輸運  
4.7 漂移速度過衝和近彈道輸運
附錄4.1 微擾勢引起的狀態之間的躍遷
附錄4.2 玻爾茲曼積分一微分方程和弛豫時間的存在性
附錄4.3 電阻率和雜質濃度的對應關係
第4章參考文獻

第5章 過剩載流子
5.1 過剩栽流子及其産生和復閤
5.2 過剩載流子的擴散
5.3 過剩載流子的漂移和擴散
5.4 雙極擴散和雙極漂移  
5.5 丹倍效應和光磁效應  
5.6 錶麵復閤對壽命的影響  
5.7 復閤機製和直接復閤
5.8 間接復閤
5.9 陷阱效應  
5.10 空間電荷的弛豫
第5章參考文獻

第6章 接觸現象

6.1 同質和異質pn結勢壘
6.2 金屬-半導體接觸：肖特基勢壘  
6.3 pn結電流：注入電流 勢壘區産生復閤電流
6.4 肖特基勢壘電流 尖峰發射
6.5 勢壘電容和擴散電容
6.6 隧道穿透勢壘——隧道電流  
6.7 光生伏特效應
6.8 雪崩擊穿和齊納擊穿  
第6章 參考文獻

第7章 半導體錶麵層和MIS結構
7.1 半導體錶麵電荷層
7.2 MIS電容
7.3 界麵態及其電容效應  
7.4 場效應和錶麵電導
7.5 錶麵復閤
附錄7.1 半導體錶麵電荷層電荷、錶麵電場和電容作為ys函數的一般錶示式
第7章參考文獻

第8章 微結構和超晶格
8.1 半導體中的尺寸量子化和低維電子氣  
8.2 微結構和超晶格的生長和形成  
8.3 二維電子氣的電荷輸運  
8.4 微結構中垂直於界麵的輸運 共振隧穿  
8.5 一維係統的輸運介觀輸運
8.6 有關量子點的輸運現象  
8.7 半導體超晶格
8.8 超晶格的輸運
8.9 Rashba效應和自鏇晶體管
8.10 碳納米管
8.11 異質結構的帶階
8.12 晶格失配的異質結構
第8章參考文獻

第9章 半導體的光吸收和光反射
9.1 光的吸收和基本吸收邊
9.2 基本吸收與能帶結構  
9.3 激子和激子吸收
9.4 雜質吸收
9.5 自由載流子吸收
9.6 晶格吸收和反射
第9章參考文獻

第10章 半導體中的發光現象  
10.1 自發發射和受激發射
10.2 發光光譜
10.3 微結構和超晶格的光譜現象
10.4 發光二極管及相關問題
10.5 半導體激光器
10.6 單光子發射和量子點一微腔係統
第10章參考文獻
索引
重要的物理常量

半導體物理學(下)(第2版) 

• 齣版社: 高等教育齣版社; 第2版 (2009年6月1日)
• 精裝: 604頁
• 語種： 簡體中文
• 開本: 16
• ISBN: 9787040266252
• 條形碼: 9787040266252
• 商品尺寸: 24 x 16.2 x 3.2 cm
• 商品重量: 998 g

目錄

符號錶
第11章 載流子的散射
§11.1 散射率
§11.2 屏蔽庫侖勢和電離雜質散射
§11.3 聲學波形變勢散射
§11.4 聲學波壓電散射
§11.5 光學波形變勢散射和等價榖間散射
§11.6 極性光學波及其散射
§11.7 等離子體振蕩和等離子體激元散射
§11.8 栽流子之間的散射
§11.9 其它晶格缺陷的散射
§11.10 半導體中的各種散射機製
第11章 參考文獻

第12章 半導體中的熱現象
§12.1 半導體的熱導
§12.2 熱電效應及其相互聯係
§12.3 溫差電動勢率
§12.4 熱磁效應
§12.5 聲子曳引效應
第12章 參考文獻

第13章 復雜能帶中的輸運現象
§13.1 多榖帶的電導、霍爾效應和磁阻
§13.2 半導體中的壓阻效應
§13.3 聲電效應
附錄13.1 Herring-Vogt變換
第13章 參考文獻

第14章 熱載流子和相關現象
§14.1 熱載流子和載流子溫度模型
§14.2 能量弛豫機製和能量損失率
§14.3 濛特卡羅模擬
§14.4 和榖間轉移相關的熱載流子輸運現象
§14.5 雪崩擊穿和碰撞電離
§14.6 熱載流子的擴散
§14.7 激光産生的熱載流子的弛豫
§14.8 研究載流子動態過程的超快光譜方法
§14.9 量子阱中熱載流子的弛豫
§14.1 0量子阱中熱激子的動態過程
§14.1 1量子點中電子空穴的弛豫
附錄14.1 第二類修正貝塞爾函數
第14章 參考文獻

第15章 強磁場輸運和磁光現象
§15.1 磁量子化和自鏇分裂
§15.2 縱嚮振蕩磁阻
§15.3 橫嚮振蕩磁阻
§15.4 量子霍爾效應
§15.5 迴鏇共振
§15.6 磁-聲子效應和強微波輻照場下的零磁阻
§15.7 振蕩磁吸收
§15.8 幾種其它磁光效應
第15章 參考文獻

第16章 半導體中自鏇相關的現象
§16.1 自鏇及其在磁場中的行為
§16.2 自鏇-軌道相互作用
§16.3 稀磁半導體及其鐵磁性
§16.4 電子自鏇的光取嚮及自鏇相關的光學現象
§16.5 自鏇霍爾效應和其它自鏇相關的輸運現象
§16.6 自鏇極化的電注入和探測
§16.7 自鏇極化的弛豫
§16.8 核自鏇超精細相互作用
§16.9 自鏇和量子計算
§16.10 自鏇共振和自鏇一核雙共振在半導體中的應用
第16章 參考文獻

第17章 非晶態半導體
§17.1 非晶態半導體的結構
§17.2 非晶態半導體中的電子狀態
§17.3 非晶態半導體中的輸運現象
§17.4 非晶態半導體的光吸收
§17.5 非晶態Si、Ge中的隙態和摻雜效應
§17.6 硫係非晶態半導體
第17章 參考文獻

索引
《半導體物理學(上冊)》的若乾修改
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