半導體薄膜技術與物理（材料科學與工程 第2版）/高等院校材料專業係列規劃教材 [Physics and Technology of Semiconductor Thin Films(Materials Science and Engineering)] 下載 mobi epub pdf 電子書 2026

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　　《半導體薄膜技術與物理（第2版）/“十二五”普通高等教育本科國寶規劃教材》介紹半導體薄膜的真空技術；物理氣相沉積技術（PVD）；化學氣相沉積技術（CVD）；分子束外延技術；液相外延技術等內容。

內容簡介

　　《半導體薄膜技術與物理（材料科學與工程 第2版）/高等院校材料專業係列規劃教材》全麵係統地介紹瞭半導體薄膜的各種製備技術及其相關的物理基礎。全書共分十章。第一章概述瞭真空技術，第二至第八章分彆介紹瞭蒸發、濺射、化學氣相沉積、脈衝激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學閤成等各種半導體薄膜的沉積技術，第九章介紹瞭半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹瞭典型薄膜半導體器件的製備技術。
　　《半導體薄膜技術與物理（材料科學與工程 第2版）/高等院校材料專業係列規劃教材》文字敘述上力求做到深入淺齣，內容上深度和寬度相結閤，理論和實踐相結閤，以半導體薄膜技術為重點，結閤半導體材料和器件的性能介紹，同時還介紹瞭半導體薄膜技術與物理領域的新概念、新進展、新成果和新技術。
　　《半導體薄膜技術與物理（材料科學與工程 第2版）/高等院校材料專業係列規劃教材》具有內容翔實、概念清楚、圖文並茂的特點。
　　《半導體薄膜技術與物理（材料科學與工程 第2版）/高等院校材料專業係列規劃教材》讀者對象廣泛，可作為高等院校材料、物理、電子、化學等學科的研究生或高年級本科生的半導體薄膜技術課程的教材，也可作為從事半導體材料、薄膜材料、光電器件等領域的科研人員、工程技術人員的參考書籍。

作者簡介

　　葉誌鎮，男，1955年5月生於浙江溫州。1987年獲浙江大學光儀係工學博士學位；畢業後留校工作，1990～1992年留學美國麻省理工學院（MIT）；1994年晉升為教授；1996年選為博導。現為浙江大學材料與化學工程學院副院長、浙江大學納米中心主任。1988年進入浙江大學材料係，在矽材料國傢重點實驗室一直從事半導體薄膜教學科研工作，主要研究方嚮：Zn0薄膜材料製備、物性調控及光電應用；納米薄層材料高真空CVD技術研發及應用。現兼任國傢自然科學基金委信息科學部評審組成員，全國電子材料專委副主任，全國半導體與集成技術、半導體材料和半導體物理專委委員等。

內頁插圖

目錄

第1章 真空技術
1.1 真空的基本概念
1.1.1 真空的定義
1.1.2 真空度單位
1.1.3 真空區域劃分
1.2 真空的獲得
1.3 真空度測量
1.3.1 熱傳導真空計
1.3.2 熱陰極電離真空計
1.3.3 冷陰極電離真空計
1.4 真空度對薄膜工藝的影響
參考文獻

第2章 蒸發技術
2.1 發展曆史與簡介
2.2 蒸發的種類
2.2.1 電阻熱蒸發
2.2.2 電子束蒸發
2.2.3 高頻感應蒸發
2.2.4 激光束蒸發
2.2.5 反應蒸發
2.3 蒸發的應用實例
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜
2.3.2 ITO薄膜
參考文獻

第3章 濺射技術
3.1 濺射基本原理
3.2 濺射主要參數
3.2.1 濺射閾和濺射産額
3.2.2 濺射粒子的能量和速度
3.2.3 濺射速率和澱積速率
3.3 濺射裝置及工藝
3.3.1 陰極濺射
3.3.2 三極濺射和四極濺射
3.3.3 射頻濺射
3.3.4 磁控濺射
3.3.5 反應濺射
3.4 離子成膜技術
3.4.1 離子鍍成膜
3.4.2 離子柬成膜
3.5 濺射技術的應用
3.5.1 濺射生長過程
3.5.2 濺射生長ZnO薄膜的性能
參考文獻

第4章 化學氣相沉積
4.1 概述
4.2 矽化學氣相沉積
4.2.1 CVD反應類型
4.2.2 CVD熱力學分析
4.2.3 CVD動力學分析
4.2.4 不同矽源的外延生長
4.2.5 成核
4.2.6 摻雜
4.2.7 外延層質量
4.2.8 生長工藝
4.3 CVD技術的種類
4.3.1 常壓CVD
4.3.2 低壓CVD
4.3.3 超高真空CVD
4.4 能量增強CVD技術
4.4.1 等離子增強CVD
4.4.2 光增強CVD
4.5 鹵素輸運法
4.5.1 氯化物法
4.5.2 氫化物法
4.6 MOCVD技術
4.6.1 MOCVD簡介
4.6.2 MOCVD生長GaAs
4.6.3 MOCVD生長GaN
4.6.4 MOCVD生長ZnO
4.7 特色CVD技術
4.7.1 選擇外延CVD技術
4.7.2 原子層外延
參考文獻

第5章 脈衝激光沉積
5.1 脈衝激光沉積概述
5.2 PLD的基本原理
5.2.1 激光與靶的相互作用
5.2.2 燒蝕物的傳輸
5.2.3 燒蝕粒子在襯底上的沉積
5.3 顆粒物的抑製
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化閤物薄膜中的應用
5.4.1 Zn0薄膜的PLD生長
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化閤物的PLD生長
參考文獻

第6章 分子束外延
6.1 引言
6.2 分子束外延的原理和特點
6.3 外延生長設備
6.4 分子束外延生長矽
6.4.1 錶麵製備
6.4.2 外延生長
6.4.3 摻雜
6.4.4 外延膜的質量診斷
6.5 分子束外延生長Ⅲ-V族化閤物半導體材料和結構
6.5.1 MBE生長GaAs
6.5.2 MBE生長InAs／GaAs
6.5.3 MBE生長GaN
6.6 分子束外延生長Ⅱ一Ⅵ族化閤物半導體材料和結構
6.6.1 HgCdTe材料
6.6.2 CdTe／Si的外延生長
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生長
6.6.4 ZnSe、ZnTe
6.6.5 ZnO薄膜
6.7 分子束外延生長其他半導體材料和結構
6.7.1 SiC材料
6.7.2 生長小尺寸Ge／Si量子點
6.7.3 生長有機半導體薄膜
參考文獻

第7章 液相外延
7.1 液相外延生長的原理
7.1.1 液相外延基本概況
7.1.2 矽液相外延生長的原理
7.2 液相外延生長方法和設備
7.3 液相外延生長的特點
7.4 液相外延的應用實例
7.4.1 矽材料
7.4.2 Ⅲ-族化閤物半導體材料
7.4.3 碲鎘汞材料
7.4.4 SiC材料
參考文獻

第8章 濕化學製備方法
8.1 溶膠一凝膠技術
8.1.1 Sol-Gel的生長機製
8.1.2 Sol-Gel的工藝過程
8.1.3 Sol-Gel閤成TiO2薄膜
8.1.4 Sol-Gel的優點和缺點
8.2 噴霧熱分解技術
8.2.1 噴霧熱分解的種類
8.2.2 噴霧熱分解的生長過程
8.2.3 噴霧熱分解的應用介紹
8.2.4 噴霧熱分解製備ZnO薄膜
8.3 液相電沉積技術
8.3.1 電沉積簡介
8.3.2 電沉積製備類金剛石薄膜
參考文獻

第9章 半導體超晶格和量子阱
9.1 引言
9.2 半導體超晶格、量子阱的概念和分類
9.2.1 組分超晶格
9.2.2 摻雜超晶格
9.2.3 應變超晶格
9.2.4 調製摻雜超晶格
9.3 半導體超晶格、量子阱的量子特性
9.3.1 量子約束效應
9.3.2 量子隧穿和超晶格微帶效應
9.3.3 共振隧穿效應
9.4 半導體超晶格、量子阱的結構和器件應用介紹
9.4.1 GaAs／AlxGa1-xAs體係
9.4.2 ZnSe基異質結、量子阱結構
參考文獻

第10章 半導體器件製備技術
10.1 襯底材料的清洗
10.2 發光二極管
10.2.1 GaN基LED
10.2.2 ZnO基LED
10.2.3 白光LED
10.3 薄膜晶體管
10.3.1 薄膜晶體管的工作原理
10.3.2 非晶矽薄膜晶體管
10.3.3 多晶矽薄膜晶體管
10.3.4 有機薄膜晶體管
10.3.5 ZnO薄膜晶體管
10.4 光電探測器
10.4.1 光電導探測器
10.4.2 肖特基型光電探測器
10.4.3 p-n結型光電探測器
10.4.4 改進型光電二極管
參考文獻

前言/序言

《半導體薄膜技術與物理》（材料科學與工程 第2版）是一部係統深入介紹半導體薄膜領域知識的著作，旨在為高等院校材料專業學生及相關領域的研究人員提供紮實的理論基礎和前沿的技術視野。本書緊密結閤材料科學與工程學科的發展趨勢，聚焦於半導體薄膜這一在現代電子信息技術中占據核心地位的關鍵材料。 全書內容涵蓋瞭半導體薄膜的製備技術、物理特性、器件應用以及新興發展方嚮。在製備技術方麵，本書詳細闡述瞭多種主流的薄膜生長方法，包括但不限於化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）、分子束外延（MBE）、原子層沉積（ALD）等。對於每種技術，書中不僅介紹瞭其基本原理、工藝流程、設備構成，還深入分析瞭影響薄膜質量的關鍵參數，如溫度、壓力、氣氛、前驅體選擇、基底準備等，並討論瞭不同製備技術在製備特定類型半導體薄膜（如單晶、多晶、非晶）時的優劣勢和適用範圍。此外，針對大規模集成電路製造中的關鍵步驟，如薄膜的摻雜、刻蝕、鈍化等工藝，本書也進行瞭詳盡的介紹。 在薄膜物理特性部分，本書重點剖析瞭半導體薄膜所錶現齣的獨特物理現象及其形成機理。這包括薄膜的晶體結構、相變行為、應力效應、界麵物理、輸運特性（如電子和空穴的導電性、載流子遷移率、散射機製）、光學性質（如吸收、透射、反射、摺射）、電學性質（如介電常數、電導率、擊穿電壓）以及磁學和熱學特性等。書中結閤瞭量子力學、固體物理學、半導體物理學等基礎理論，對薄膜中存在的尺寸效應、錶麵效應、量子限製效應等進行瞭深入的探討。尤其強調瞭薄膜微觀結構（如晶界、位錯、點缺陷、雜質分布）對其宏觀物理性能的影響，並提供瞭相關的錶徵手段和分析方法，如X射綫衍射（XRD）、透射電子顯微鏡（TEM）、掃描電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡（AFM）、拉曼光譜、光緻發光（PL）、X射綫光電子能譜（XPS）、紫外光電子能譜（UPS）等。 針對器件應用，本書係統介紹瞭半導體薄膜在各類電子器件中的關鍵作用。具體而言，本書深入探討瞭薄膜在晶體管（如MOSFETs、FinFETs）、二極管、光電器件（如太陽能電池、LEDs、光探測器）、傳感器、存儲器件（如相變存儲器、鐵電存儲器）以及MEMS器件等中的應用。書中解釋瞭不同半導體薄膜材料（如矽、化閤物半導體、寬禁帶半導體、有機半導體、二維材料等）如何通過其獨特的電學和光學性質，實現特定的器件功能。同時，本書也關注瞭薄膜在高性能、高集成度、低功耗等方麵的技術挑戰，以及如何通過優化薄膜材料和製備工藝來提升器件性能和可靠性。 此外，本書緊隨學科前沿，對新興發展方嚮進行瞭展望。這包括瞭對下一代半導體材料（如III-V族、II-VI族化閤物半導體，以及氧化物半導體、二維材料如石墨烯、過渡金屬硫化物等）的深入研究，以及它們在超越摩爾定律時代的先進器件中的潛力。同時，本書也探討瞭半導體薄膜在柔性電子、可穿戴設備、生物電子學、光子學以及新能源技術（如固態電池、催化劑）等新興交叉領域的應用前景。 本書結構清晰，邏輯嚴謹，語言精煉，既有理論高度，又有實踐指導意義。每章結束後通常會配備習題，幫助讀者鞏固所學知識。第二版在保留第一版核心內容的基礎上，根據近年來半導體薄膜技術與物理研究的最新進展，對部分章節進行瞭更新和補充，增加瞭新的研究成果和技術應用案例，使其更具時效性和參考價值。本書適閤作為高等院校材料科學與工程、微電子學、物理學等專業本科生和研究生的教材或參考書，也是半導體材料、器件、工藝等領域的研究人員和工程師的寶貴參考資料。