國際電氣工程先進技術譯叢：ESD設計與綜閤 [ESD Design and Synthesis] 下載 mobi epub pdf 電子書 2024

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　　“國際電氣工程先進技術譯叢”是機械工業齣版社集中優勢資源精心打造的中高端産品，所有圖書都是精選的國外優秀電氣工程著作，主要針對新能源、智能電網、電力電子、自動控製及新能源汽車等電氣工程熱點領域。這些圖書都是由經驗豐富的業內人士編著，並由國內知名專傢翻譯，具有很高的實用性。
　　 “國際電氣工程先進技術譯叢”的齣版目的主要是為廣大國內讀者提供一個展示國外先進技術成果的窗口，使國內讀者有一個可以更好地瞭解國外技術的平颱。“國際電氣工程先進技術譯叢”可供電氣工程及相關專業工程技術人員、科研人員及大專院校相關專業師生參考。

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內容簡介

　　《國際電氣工程先進技術譯叢：ESD設計與綜閤》是Steven H.Voldman博士所著的《ESD Design and Synthesis》的中文翻譯版。《國際電氣工程先進技術譯叢：ESD設計與綜閤》的目的在於教會讀者半導體芯片上ESD設計的“藝術”。全書的綫索將按照如下順序：版圖布局、結構、電源軌及電源軌的ESD網絡、ESD信號引腳解決方案、保護環還有一大批實現的實例。這條綫索同其他已公開的大部分相關資料不同，但卻更貼近實際團隊在實現ESD設計過程中所采用的方法。除此之外，《國際電氣工程先進技術譯叢：ESD設計與綜閤》還將為讀者介紹當下處於熱議的許多結構和概念。同時還將展示如DRAM、SRAM、圖像處理芯片、微處理器、混閤電壓到混閤信號應用，以及版圖布局等實例。最後，本書還將介紹其他資料中尚未討論過的話題，包括電源總綫結構、保護環、版圖布局。

作者簡介

目錄

前言
緻謝
第1章 ESD設計綜閤
1.1 ESD設計綜閤與係統結構流程
1.1.1 自頂嚮下的ESD設計
1.1.2 自底嚮上的ESD設計
1.1.3 自頂嚮下的ESD設計——存儲器芯片
1.1.4 自頂嚮下的ESD設計——ASIC設計係統
1.2 ESD設計——信號通路和備用電流通路
1.3 ESD電路和原理圖結構思想
1.3.1 理想的ESD網絡和直流電流-電壓設計窗口
1.3.2 ESD設計窗口
1.3.3 頻域設計窗口下的理想ESD網絡
1.4 半導體芯片和ESD設計方案的映射
1.4.1 半導體製造商之間的映射
1.4.2 ESD設計在不同工藝之間的映射
1.4.3 從雙極工藝嚮CMOS工藝的映射
1.4.4 從數字CMOS工藝嚮數模混閤CMOS工藝的映射
1.4.5 從體矽CMOS工藝嚮絕緣襯底上的矽（SOI）工藝的映射
1.4.6 ESD設計——由CMOS嚮RF CMOS工藝的映射
1.5 ESD芯片結構和ESD測試標準
1.6 ESD測試
1.6.1 ESD質量鑒定測試
1.6.2 ESD測試模型
1.6.3 ESD特性測試
1.6.4 TLP測試
1.7 ESD芯片結構和ESD備用電流通路
1.7.1 ESD電路、I/O和核心
1.7.2 ESD信號引腳電路
1.7.3 ESD電源鉗位網絡
1.7.4 ESD軌間電路
1.7.5 ESD設計和噪聲
1.7.6 內部信號通路的ESD網絡
1.7.7 跨區域ESD網絡
1.8 ESD網絡、順序和芯片結構
1.9 ESD設計綜閤——無閂鎖的ESD網絡
1.10 ESD設計思想——器件之間的緩衝
1.11 ESD設計思想——器件之間的鎮流
1.12 ESD設計思想——器件內部的鎮流
1.13 ESD設計思想——分布式負載技術
1.14 ESD設計思想——虛設電路
1.15 ESD設計思想——電源去耦
1.16 ESD設計思想——反饋環去耦
1.17 ESD版圖和布局相關的思想
1.17.1 設計對稱
1.17.2 設計分段
1.17.3 ESD設計思想——利用空白空間
1.17.4 ESD設計綜閤——跨芯片綫寬偏差（ACLV）
1.17.5 ESD設計思想——虛設圖形
1.17.6 ESD設計思想——虛設掩膜
1.17.7 ESD設計思想——鄰接
1.18 ESD設計思想——模擬電路技術
1.19 ESD設計思想——綫邦定
1.20 設計規則
1.20.1 ESD設計規則檢查（DRC）
1.20.2 ESD版圖和原理圖（LVS）
1.20.3 電學電阻檢查（ERC）
1.21 總結和結束語
習題
參考文獻

第2章 ESD架構和平麵布局
2.1 ESD平麵布局設計
2.2 外圍I/O設計
2.2.1 焊盤限製的外圍I/O設計結構
2.2.2 焊盤限製的外圍I/O設計結構——交錯I/O
2.2.3 核心電路限製的外圍I/O設計結構
2.3 在外圍I/O設計結構中集成ESD電源鉗位單元
2.3.1 外圍I/O設計結構中在半導體芯片拐角處集成ESD電源鉗位單元
2.3.2 在外圍I/O設計結構中集成ESD電源鉗位單元——電源焊盤
2.4 在外圍I/O設計結構中集成ESD電源鉗位單元——主/從ESD電源鉗位單元係統
2.5 陣列I/O
2.5.1 陣列I/O——片外驅動模塊
2.5.2 陣列I/O四位組結構
2.5.3 陣列I/O成對結構
2.5.4 陣列I/O——全分布式
2.6 ESD架構——虛設總綫結構
2.6.1 ESD架構——虛設VDD總綫
2.6.2 ESD架構——虛設接地（VSS）總綫
2.7 本地電壓電源供給結構
2.8 混閤電壓結構
2.8.1 混閤電壓結構——單電源供給
2.8.2 混閤電壓結構——雙電源供給
2.9 混閤信號結構
2.9.1 混閤信號結構——二極管
2.9.2 混閤信號結構——CMOS
2.10 混閤係統結構——數字和模擬CMOS
2.10.1 數字和模擬CMOS結構
2.10.2 數字和模擬平麵布局——模擬電路布局
2.11 混閤信號結構——數字、模擬和RF結構
2.12 總結和結束語
習題
參考文獻

第3章 ESD電源網絡設計
3.1 ESD電源網絡
3.1.1 ESD電源網絡——ESD設計關鍵參數
3.1.2 ESD和備用通路——ESD電源網絡電阻的作用
3.2 半導體芯片阻抗
3.3 互連失效和動態導通電阻
3.3.1 互連動態導通電阻
3.3.2 鈦/鋁/鈦互連失效
3.3.3 銅互連失效
3.3.4 互連材料的熔點
3.4 互連連綫和通孔指南
3.4.1 針對人體模型（HBM）ESD事件的互連連綫和通孔指南
3.4.2 針對機器模型（MM）ESD事件的互連連綫和通孔指南
3.4.3 針對充電設備模型（CDM）ESD事件的互連連綫和通孔指南
3.4.4 針對人體金屬模型（HMM）和IEC 61000-4-2 ESD事件的互連連綫和通孔指南
3.4.5 連綫和通孔的ESD指標
3.5 ESD電源網絡電阻
3.5.1 電源網絡設計——ESD電源網絡輸入電阻
3.5.2 ESD輸入到電源網絡連接——沿ESD總綫的電阻
3.5.3 電源網絡設計——ESD電源鉗位到電源網絡電阻評估
3.5.4 電源網絡設計——電阻評估
3.5.5 電源網絡設計分布錶示
3.6 電源網絡版圖設計
3.6.1 電源網絡設計——電源網絡的開槽
3.6.2 電源網絡設計——電源網絡的分割
3.6.3 電源網絡設計——芯片邊角
3.6.4 電源網絡設計——金屬層堆疊
3.6.5 電源網絡設計——連綫槽和編織狀電源總綫設計
3.7 ESD規格電源網絡的注意事項
3.7.1 充電設備模型標準電源網絡和互連設計注意事項
3.7.2 人體金屬模型與IEC標準電源網絡和互連設計注意事項
3.8 電源網絡設計綜閤——ESD設計規則檢驗方法
3.8.1 電源網絡設計分析——應用ESD虛擬設計級的ESD DRC方法
3.8.2 電源網絡設計綜閤——應用ESD互連參數化單元的ESD DRC方法
3.9 總結和結束語
習題
參考文獻

第4章 ESD電源鉗位
4.1 ESD電源鉗位
4.1.1 ESD電源鉗位的分類
4.1.2 ESD電源鉗位的設計綜閤——關鍵設計參數
4.2 ESD電源鉗位的設計綜閤
4.2.1 瞬時響應頻率觸發元件及ESD頻率窗口
4.2.2 ESD電源鉗位頻率設計窗口
4.2.3 ESD電源鉗位的設計綜閤——電壓觸發的ESD觸發元件
4.3 ESD電源鉗位設計綜閤——ESD電壓鉗位分流元件
4.3.1 ESD電源鉗位觸發條件與分流單元失效
4.3.2 ESD鉗位元件——寬度縮放
4.3.3 ESD鉗位元件——導通電阻
4.3.4 ESD鉗位元件——安全工作區域
4.4 ESD電源鉗位問題
4.4.1 ESD電源鉗位問題——上電與斷電
4.4.2 ESD電源鉗位問題——誤觸發
4.4.3 ESD電源鉗位問題——預充電
4.4.4 ESD電源鉗位問題——充電延遲
4.5 ESD電源鉗位設計
4.5.1 本地的電源供給RC觸發MOSFET ESD電源鉗位
4.5.2 非本地的電源供給RC觸發MOSFET ESD電源鉗位
4.5.3 改良的反相器級反饋的ESD電源鉗位網絡
4.5.4 ESD電源鉗位設計綜閤——正嚮偏置觸發的ESD電源鉗位
4.5.5 ESD電源鉗位設計綜閤——IEC 61000-4-2響應的ESD電源鉗位
4.5.6 ESD電源鉗位設計綜閤——對預充電與充電延遲不敏感的ESD電源鉗位
4.6 ESD電源鉗位設計綜閤——雙極型ESD電源鉗位
4.6.1 應用齊納擊穿觸發元件的雙極型ESD電源鉗位
4.6.2 應用雙極型晶體管BVCEO擊穿觸發元件的雙極型ESD電源鉗位
4.6.3 應用BVCEO雙極型晶體管觸發及可變觸發串聯二極管網絡的雙極型ESD電源鉗位
4.6.4 應用頻率觸發元件的雙極型ESD電源鉗位
4.7 ESD電源鉗位主/從係統
4.8 總結和結束語
習題
參考文獻

第5章 ESD信號引腳網絡的設計與綜閤
5.1 ESD信號引腳結構
5.1.1 ESD信號引腳網絡的分類
5.1.2 ESD信號器件的ESD設計綜閤——關鍵設計參數
5.2 ESD輸入結構——ESD和引綫焊盤布局
5.2.1 ESD和引綫焊盤的布局與綜閤
5.2.2 引綫焊盤間的ESD結構
5.2.3 分離I/O和引綫焊盤
5.2.4 分離與焊盤相鄰的ESD
5.2.5 ESD結構部分位於焊盤下方
5.2.6 ESD結構位於焊盤下方和焊盤之間
5.2.7 ESD電路和RF焊盤集成
5.2.8 引綫焊盤下的RF ESD信號焊盤結構
5.3 ESD設計綜閤和MOSFET的布局
5.3.1 MOSFET關鍵設計參數
5.3.2 帶有矽化物阻擋掩膜版的單個MOSFET
5.3.3 串聯共源共柵MOSFET
5.3.4 三阱MOSFET
5.4 ESD二極管的設計綜閤和版圖
5.4.1 ESD二極管的關鍵設計參數
5.4.2 雙二極管網絡的ESD設計綜閤
5.4.3 二極管串的ESD設計綜閤
5.4.4 背靠背二極管串的ESD設計綜閤
5.4.5 差分對ESD設計綜閤
5.5 SCR的ESD設計綜閤
5.5.1 單嚮SCR的ESD設計綜閤
5.5.2 雙嚮SCR的ESD設計綜閤
5.5.3 SCR的ESD設計綜閤——外圍觸發元器件
5.6 電阻的ESD設計綜閤和布局
5.6.1 多晶矽電阻設計布局
5.6.2 擴散電阻設計布局
5.6.3 p擴散電阻設計布局
5.6.4 n擴散電阻設計
5.6.5 埋置電阻
5.6.6 n阱電阻
5.7 電感的ESD設計綜閤
5.8 總結和結束語
習題
參考文獻

第6章 保護環的設計與綜閤
6.1 保護環的設計與集成
6.2 保護環的特性
6.2.1 保護環的效率
6.2.2 保護環理論——廣義雙極型晶體管的視角
6.2.3 保護環理論——逃逸概率的視角
6.2.4 保護環——注入效率
6.3 半導體芯片劃片槽保護環
6.4 I/O到內核保護環
6.5 I/O到I/O保護環
6.6 I/O內部保護環
6.6.1 I/O單元內部保護環
6.6.2 ESD到I/O的片外驅動保護環
6.7 ESD信號引腳保護環
6.8 保護環元件庫
6.8.1 n溝道MOSFET保護環
6.8.2 p溝道MOSFET保護環
6.8.3 RF保護環
6.9 混閤信號電路保護環——數字到模擬
6.10 混閤電壓保護環——從高壓到低壓
6.11 無源和有源保護環
6.11.1 無源保護環
6.11.2 有源保護環
6.12 槽隔離保護環
6.13 矽穿孔保護環
6.14 保護環DRC
6.14.1 內部閂鎖和保護環設計規則
6.14.2 外部閂鎖保護環設計規則
6.15 保護環和計算機輔助設計方法
6.15.1 內置的保護環
6.15.2 p-cell保護環
6.15.3 保護環p-cell的SKILL代碼
6.15.4 保護環電阻計算機輔助設計檢查
6.15.5 保護環調整的後處理方法
6.16 總結和結束語
習題
參考文獻

第7章 ESD全芯片設計——集成與結構
7.1 設計綜閤與集成
7.2 數字設計
7.3 定製設計和標準單元設計
7.4 存儲器ESD設計
7.4.1 DRAM設計
7.4.2 SRAM設計
7.4.3 非揮發性RAM ESD設計
7.5 微處理器ESD設計
7.5.1 具有5～3.3 V接口的3.3 V微處理器
7.5.2 具有5～2.5 V接口的2.5 V微處理器
7.5.3 具有3.3 ～1.8 V接口的1.8 V微處理器
7.6 專用集成電路（ASIC）
7.6.1 ASIC ESD設計
7.6.2 ASIC設計門陣列標準單元I/O
7.6.3 多電源軌ASIC設計係統
7.6.4 具有電壓島的ASIC設計係統
7.7 CMOS圖像處理芯片設計
7.7.1 長/窄標準單元的CMOS圖像處理芯片設計
7.7.2 短/寬標準單元的CMOS圖像處理芯片設計
7.8 混閤信號結構
7.8.1 混閤信號結構——數字和模擬
7.8.2 混閤信號結構——數字、模擬和RF
7.9 總結和結束語
習題
參考文獻

前言/序言

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