具體描述
內容簡介
《集成基準源電路設計：從二極管到高階帶隙基準源》分為5章。第1章描述瞭參考源的基本原理以及模擬電路的基礎知識；第2章分析瞭參考電流源的設計，包括基本的CMOSPTAT電路和復雜的biCMOS電流源；第3章在前兩章的基礎上，講解瞭電壓參考源的設計，包含瞭從零階到高階補償電路的實現；第4章分析瞭高精度基準源設計的考慮因素，包括工藝偏差、負載效應和工作環境等；第5章從工程和應用的角度討論瞭修調、版圖設計和封裝等對電路性能的影響。《集成基準源電路設計：從二極管到高階帶隙基準源》內容全麵，包含瞭從參考源設計的理論基礎到工程實踐的全部內容。分析深刻、實用性強，具有一定的指導意義。目錄
緒 論chapter 1 基礎知識
1．1 二極管
1．1．1 擊穿區域
1．1．2 正嚮偏置區域
1．2 電流鏡
1．2．1 簡單電流鏡
1．2．2 共源共柵電流鏡
設計實例 1．1
1．2．3 調整型共源共柵電流鏡
1．3 小 結
附錄二 極管電壓的溫度特性
參考文獻
chapter 2 電流基準源
2．1 PTAT電流基準源
2．1．1 雙極工藝實現方式
2．1．2 CMOS實現方式
2．2 啓動電路和頻率補償
2．2．1 連續導通啓動電路
2．2．2 與電路狀態有關的啓動電路
2．2．3 頻率補償
2．3 CTAT電流基準源
2．4 與溫度無關的電流基準源
2．5 PTAT2電流源産生電路
2．5．1 雙極工藝實現方式
2．5．2 CMOS工藝實現方式
設計實例 2．1
2．6 小結
參考文獻
chapter 3 電壓基準源
3．1 零階基準源
3．1．1 正嚮偏置二極管基準源
3．1．2 齊納電壓基準源
設計實例 3．1
3．2 一階基準源
3．2．1 正嚮偏置二極管基準源
3．2．2 齊納基準源
設計實例 3．2
3．3 二階電壓基準源(麯率校正)
3．4 麯率校正技術當前的發展情況
3．4．1 與溫度相關電阻比例技術
3．4．2 二極管環路技術
3．4．3 β補償技術
3．4．4 分段綫性電流模技術
3．4．5 非綫性匹配校正(Matched―Nonlinear Correction)
3．4．6 精確補償方法
3．5 小 結
參考文獻
chapter 4 高精度基準源電路的設計
4．1 誤差來源
4．1．1 定性的影響
設計實例 4．1
4．2 輸齣級
4．2．1 電壓模式輸齣級
4．2．2 電流模式輸齣級
4．2．3 混閤模式輸齣級
4．2．4 穩壓基準源和未穩壓基準源
設計實例 4．2
4．3 電源電壓抑製和綫性調整性能的設計
4．3．1 共源共柵技術
4．3．2 僞電源電壓技術
設計實例 4．3
4．4 小結
附錄1 典型一階帶隙基準源的誤差來源
附錄2 電阻溫度係數對電流模式輸齣級基準源的影響
參考文獻
chapter 5 係統和應用環境分析
5．1 修調網絡的設計
5．1．1 修調範圍
5．1．2 修調技術
設計實例 5．1
5．2 封裝應力的影響
5．3 係統相關的問題
5．3．1 電路設計考慮
5．3．2 版圖設計考慮
設計實例 5．2
5．4 特徵描述
5．5 小結
附錄1 帶有混閤模式(同時具有電壓和電流模式)輸齣級的帶隙基準源的修調流程
附錄2 封裝應力對帶隙基準源電路的影響
附錄3 基準源電路對輸人階躍信號的有限衝激響應所需時間的討論
參考文獻
前言/序言
用戶評價
而根據處理信號的不同，可以分為模擬集成電路、數字集成電路、和兼具模擬與數字的混閤信號集成電路。最先進的集成電路是微處理器或多核處理器的核心，可以控製電腦到手機到數字微波爐的一切。存儲器和特定應用集成電路是其他集成電路傢族的例子，對於現代信息社會非常重要。雖然設計開發一個復雜集成電路的成本非常高，但是當分散到通常以百萬計的産品上，每個集成電路的成本最小化。集成電路的性能很高，因為小尺寸帶來短路徑，使得低功率邏輯電路可以在快速開關速度應用。
評分IC 對於離散晶體管有兩個主要優勢：成本和性能。成本低是由於芯片把所有的組件通過照相平版技術，作為一個單位印刷，而不是在一個時間隻製作一個晶體管。性能高是由於組件快速開關，消耗更低能量，因為組件很小且彼此靠近。2006年，芯片麵積從幾平方毫米到350 mm²，每mm²可以達到一百萬個晶體管。
評分簡單容易理解是本好書
評分VLSI 英文全名為 Very large scale integration, 邏輯門1,001~10k個 或 晶體管 10,001~100k個。
評分對基準源的設計進行瞭總結，雖然內容不是很新，還是有一定幫助的
評分前述將電路製造在半導體芯片錶麵上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）混成集成電路（hybrid integrated circuit）是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或綫路闆所構成的小型化電路。
評分第一個集成電路雛形是由傑剋·基爾比於1958年完成的，其中包括一個雙極性晶體管，三個電阻和一個電容器。
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評分做基準的可以學習一下
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