齣版社： 科學齣版社
ISBN：9787030367174
版次：1
商品編碼：11197571
包裝：精裝
叢書名： 半導體科學與技術叢書
開本：16開
齣版時間：2013-01-01
用紙：膠版紙
頁數：303
字數：390000
正文語種：中文
具體描述
內容簡介
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎，係統地介紹瞭Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現方法，重點介紹瞭半導體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關氮化物材料。全書共14章，內容包括：氮化物材料的基本性質、異質外延方法和機理，HEMT材料的電學性質，Al CaN/GaN和InAlN/GaN異質結的生長和優化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和優化、製備工藝和性能、電熱退化分析，GaN增強型 HEMT器件和集成電路，GaN MOS-HEMT器件，最後給齣瞭該領域未來技術發展的幾個重要方嚮。《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀參考。
目錄
《半導體科學與技術叢書》齣版說明序言
第1章 緒論
第2章 Ⅲ族氮化物半導體材料的性質
第3章 氮化物材料的異質外延生長和缺陷性質
第4章 GaNHEMT材料的電學性質與機理
第5章 AIGaN/GaN異質結材料的生長與優化方法
第6章 AIGaN/GaN多異質結材料與電子器件
第7章 脈衝MOCVD方法生長InAIN/GaN異質結材料
第8章 Ⅲ族氮化物電子材料的缺陷和物性分析
第9章 GaNHEMT器件的原理和優化
第10章 GaNHEMT器件的製備工藝和性能
第11章 GaNHEMT器件的電熱退化與可靠性
第12章 GaN增強型HEMT器件和集成電路
第13章 GaNMOS—HEMT器件
第14章 氮化物半導體材料和電子器件的發展
附錄 縮略語錶
《半導體科學與技術叢書》已齣版書目
前言/序言
用戶評價
評分
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