复合材料成型技术及应用 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

内容简介

《复合材料成型技术及应用》全面介绍了复合材料各种主要的成型艺技术。既关注成型技术知识的基础性、系统性、完整性和实用性，也特别注意介绍近年来有关成型工艺各方面发展的新颖性。同时用较多篇幅介绍了各种工艺的实际应用，特别是近几年的一些具有重大社会意义和经济意义的典型产品，还对其工艺过程做了简要的描述。
《复合材料成型技术及应用》适合于从事复合材料行业的研究、生产人员阅读。也可供大专院校相关专业师生参考。对有兴趣采用复合材料的用户也有较好的参考价值。

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目录

第一章 绪论
一、复合材料的定义与分类
二、树脂基复合材料的特性
三、中国复合材料的发展
四、树脂基复合材料生产工艺分类
五、树脂基复合材料生产工艺选择
参考文献

第二章 低压接触成型工艺及应用
第一节 低压接触成型工艺的特点和用途
一、特点
二、用途

第二节 低压接触成型工艺主要原材料
一、增强材料
二、基体材料

第三节 低压接触成型模具
一、模具形式的选择
二、模具设计
三、玻璃钢模具的制作
四、玻璃钢模具的维护与保养

第四节 低压接触成型工艺
一、模具
二、脱模剂
三、表面层
四、结构层
五、局部增强
六、固化
七、脱模
八、后修整
九、检验
十、包装
十一、运输

第五节 低压接触成型工艺局部补强与常见缺陷的解决方法
一、局部补强。
二、常见缺陷的解决方法

第六节 夹层结构产品的制作
一、泡沫夹层
二、蜂窝夹层
三、其他夹层结构
四、夹层结构成型

第七节 无机玻璃钢
一、特性
二、主要原材料
三、产品制作

第八节 低压接触成型：厂艺的环境保护与职业健康安全
一、环境保护
二、职业健康安全

第九节 低压接触成型大型产品制作实例
一、模具。
二、玻璃钢模具
二、机舱罩、轮毂罩、整流罩制品制作
四、修整与装配
五、检验及其他
参考文献

第三章 喷射成型工艺及应用
第一节 概述
一、分类
二、喷射成型工艺的优缺点

第二节 喷射成型工艺的原材料及模具
一、原材料的选择
二、喷射成型用模具山

第三节 喷射成型的设备及辅助工具
一、树脂输送系统
二、树脂混合及喷射系统
三、无捻粗纱切割喷射系统
四、其他辅助丁具

第四节 喷射成型的操作工艺
一、喷射成型工艺流程和工艺参数
二、喷射成型工艺要点汀
……
第四章 模压成型工艺及应用
第五章 层压成型工艺及应用
第六章 树灌注成型工艺及应用
第七章 缠绕成型工艺及应用
第八章 真空辅助树脂扩散成型工艺及应用
第九章 拉挤成型工艺及应用
第十章 连续板成型工艺及应用
第十一章 纤维增强热塑性复合材料成型工艺及应用
第十二章 先进复合材料盛开工艺及应用

好的，这是一份关于另一本技术书籍的详细简介，该书内容与“复合材料成型技术及应用”无关。 --- 先进半导体器件物理与工艺：从基础到前沿 ISBN： 978-7-5088-8888-9 作者： 张伟 教授 / 李明 博士 出版社： 科技电子出版社 开本： 16开 页码： 850页 内容概述 本书系统深入地探讨了现代半导体器件的物理基础、制造工艺流程以及当前最前沿的研究方向。聚焦于CMOS（互补金属氧化物半导体）技术体系的演进，并扩展到新兴的非易失性存储器、功率半导体以及微纳机电系统（MEMS）器件的原理与实现。全书结构严谨，理论推导详实，辅以大量工程实例和最新技术节点的数据分析，旨在为半导体领域的工程师、研发人员及高年级本科生和研究生提供一本权威、实用的参考手册。 第一部分：半导体物理基础与器件模型（约占全书 30%） 本部分奠定了理解所有现代半导体器件的理论基石。 第一章：半导体材料性质与载流子输运 详细阐述了晶体结构、能带理论在硅、锗以及 III-V 族半导体中的应用。重点讨论了本征与掺杂半导体的电学特性，如费米能级、载流子浓度计算。深入分析了漂移-扩散模型，解释了载流子在电场和浓度梯度作用下的运动机制。内容涵盖了高场效应下的载流子饱和、热载流子效应以及它们对器件性能的限制。 第二章：PN 结与双极型晶体管（BJT） 系统讲解了PN结的形成、能带图、内置电场、势垒高度。详细分析了理想PN结的I-V特性曲线，包括正向导通机理和反向击穿机制（雪崩击穿与齐纳击穿）。随后，深入剖析了双极型晶体管（BJT）的工作原理，包括 Ebers-Moll 模型、Ebert 模型及其在Spice仿真中的应用。讨论了先进BJT结构，如异质结双极型晶体管（HBT）在高频应用中的优势。 第三章：MOSFET 器件物理与工作原理 这是本书的核心章节之一。详细介绍MOS结构的形成、表面势分析及电容-电压（C-V）特性曲线的完整推导过程，包括强反型、弱反型和耗尽模式。全面解析了理想MOSFET的工作区（亚阈值区、线性区、饱和区）的电流模型（如平方律模型），并引入了短沟道效应（SCE）的物理机制，如DIBL（漏致势垒降低）、阈值电压随沟道长度的下降等。 第二部分：先进CMOS制造工艺流程（约占全书 40%） 本部分聚焦于从硅片到功能芯片的复杂制造环节，侧重于纳米尺度下的工艺控制。 第四章：硅基衬底的制备与关键前道工艺 追溯了高品质单晶硅的生长（直拉法/区熔法）和晶圆的制备。详尽介绍了光刻技术，包括深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻的原理、掩模版制作、光刻胶的化学放大机制。对刻蚀技术进行了深入对比，区分了干法刻蚀（RIE、ICP-RIE）的反应机理、选择比、侧壁形貌控制（如侧壁钝化技术）。 第五章：薄膜沉积与掺杂技术 系统阐述了薄膜沉积技术，包括物理气相沉积（PVD，如溅射）和化学气相沉积（CVD，LPCVD、PECVD）。重点分析了高介电常数（High-k）材料在栅极堆栈中的应用及其界面缺陷控制。在掺杂方面，详述了离子注入工艺，包括注入能量、剂量、退火（RTA）过程对晶格损伤修复和激活效率的影响。 第六章：互连技术与先进封装 阐述了后道工艺中互连线的演进，从铝线到铜互连。详细介绍了大马士革（Damascene）工艺流程，包括介质层的沉积、刻蚀、铜的电化学沉积（ECD）与电化学机械抛光（CMP）。分析了互连线寄生电阻、电容对速度和功耗的影响。最后，简要介绍了2.5D/3D集成技术（如TSV，硅通孔）在提升系统性能中的作用。 第三部分：前沿器件与新兴领域（约占全书 30%） 本部分着眼于半导体行业的未来发展方向，特别是超越冯·诺依曼架构的探索。 第七章：存储器技术：从SRAM到下一代非易失性存储器 深入分析了SRAM和DRAM的读写操作与能耗特性。重点剖析了新兴的非易失性存储器（NVM），包括相变存储器（PCM）、电阻式随机存取存储器（RRAM）和磁隧道结存储器（MRAM）。详细解释了其工作机理、可靠性挑战（如耐久性、保持时间）及其在存储器阵列中的应用潜力。 第八章：功率半导体与宽禁带材料 本章聚焦于需要高耐压和高功率密度应用的器件。详细讨论了SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）等宽禁带半导体的优越性，如更高的击穿电场和热导率。通过分析肖特基势垒二极管（SBD）和功率MOSFETs，解释了如何设计出具有低导通电阻和快速开关特性的功率器件。 第九章：微纳机电系统（MEMS）与传感器集成 探讨了半导体制造技术在构建机械功能器件中的应用。介绍了MEMS器件的常用结构（如梁、隔膜），关键制造技术（如深反应离子刻蚀DRIE，LIGA技术）。重点分析了压力传感器、加速度计、陀螺仪以及微镜阵列（DMD）的工作原理和集成挑战。 特色与亮点 1. 理论与实践的紧密结合： 每一器件工作原理的推导后，均附有基于实际工业数据的参数分析，使读者能够桥接理论与工程实践。 2. 全流程覆盖： 从硅原子到最终封装，覆盖了当前主流集成电路制造中的所有关键步骤。 3. 前沿洞察： 对EUV光刻、High-k/Metal Gate技术、FinFET/GAA（Gate-All-Around）等关键技术节点的物理限制和解决方案进行了深入的探讨，确保内容的时效性。 4. 丰富的图示与数据： 包含超过500张结构图、能带图和工艺流程示意图，以及大量关键参数表格，辅助理解复杂概念。 适用读者 集成电路设计与制造工程师 微电子学、电子工程、材料科学相关专业的硕士及博士研究生 从事半导体设备研发和工艺优化的技术人员 高校相关专业的教师和科研人员