光電子器件 下載 mobi epub pdf 電子書 2024

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內容簡介

半導體光電探測器、光電倍增管、微光像增強器、真空攝像管、CCD和CMOS成像器件、緻冷和非緻冷紅外成像器件、紫外成像器件、X射綫成像器件。
《光電子器件》適閤電子科學與技術、光電子技術、物理電子學等專業本科生作為教材使用，也可供相近專業的研究生閱讀，同時可供從事光電子器件研究和從事光電子技術的技術人員參考。

目錄

第1章 光電導探測器
1.1 光電子器件的基本特性
1.1.1 光譜響應率和響應率
1.1.2 最小可探測輻射功率和探測率
1.1.3 光吸收係數

1.2 光電導探測器原理
1.2.1 光電導效應
1.2.2 光電導電流
1.2.3 光電導增益
1.2.4 光電導靈敏度
1.2.5 光電導惰性和響應時間
1.2.6 光電導的光譜響應特性
1.2.7 電壓響應率
1.2.8 探測率D

1.3 光敏電阻
1.3.1 光敏電阻的結構
1.3.2 光敏電阻的特性

第2章 結型光電探測器
2.1 光生伏特效應
2.1.1 PN結
2.1.2 PN結光生伏特效應

2.2 光電池
2.2.1 光電池的結構
2.2.2 光電池的電流與電壓
2.2.3 光電池的主要特性

2.3 光電二極管
2.3.1 PN結型光電二極管
2.3.2 PIN型光電二極管
2.3.3 雪崩型光電二極管（APD）

2.4 光電三極管
2.4.1 光電三極管結構和工作原理
2.4.2 光電三極管的主要性能參數

第3章 光電陰極與光電倍增管
3.1 光電發射過程
3.1.1 外光電效應
3.1.2 金屬的光譜響應
3.1.3 半導體光電發射過程
3.1.4 實用光電陰極

3.2 負電子親和勢光電陰極
3.2.1 負電子親和勢光電陰極的原理
3.2.2 NEA光電陰極中的電子傳輸過程
3.2.3 NEA陰極的量子産額
3.2.4 負電子親和勢陰極的工藝及結構

3.3 真空光電管
3.3.1 真空光電管工作原理
3.3.2 真空光電管的主要特性

3.4 光電倍增管
3.4.1 光電倍增管結構和工作原理
3.4.2 光電倍增管主要特性和參數
3.4.3 光電倍增管的供電電路

第4章 微光像增強器
4.1 像管的基本原理和結構
4.1.1 光電陰極
4.1.2 電子光學係統
4.1.3 熒光屏
4.1.4 光學縴維麵闆

4.2 像管主要特性分析
4.2.1 像管的光譜響應特性
4.2.2 像管的增益特性
4.2.3 像管的光傳遞特性
4.2.4 像管的背景特性
4.2.5 像管的傳像特性
4.2.6 像管的時間響應特性
4.2.7 空間分辨特性

4.3 紅外變像管
4.3.1 玻璃管型的紅外變像管
4.3.2 金屬型紅外變像管
4.4 第一代微光像增強器

4.5 微通道闆
4.5.1 通道電子倍增器
4.5.2 微通道闆的增益特性
4.5.3 電流傳遞特性
4.5.4 微通道闆的噪聲
4.5.5 微通道闆的噪聲因子

4.6 第二代微光像增強器
4.6.1 近貼式MCP像增強器
4.6.2 靜電聚焦式MCP像增強器
4.6.3 第二代微光像增強器的優點
4.6.4 第二代微光像增強器的缺點
4.7 第三代微光像增強器
4.8 第四代微光像增強器

第5章 攝像管
5.1 攝像管的工作方式
5.2 攝像管的性能指標與評定
5.2.1 攝像管的靈敏度
5.2.2 攝像管的光電轉換
5.2.3 攝像管的分辨率
5.2.4 攝像管的惰性
5.2.5 攝像管的灰度

5.3 氧化鉛光電導視像管
5.3.1 氧化鉛靶結構
5.3.2 視像管的結構
5.3.3 視像管的工作原理
5.3.4 氧化鉛視像管特性

第6章 CCD和COMS成像器件
6.1 電荷耦閤器件的基本原理
6.1.1 MOS結構特徵
6.1.2 CCD勢阱深度和存儲電荷能力
6.1.3 電荷耦閤原理

6.2 電荷耦閤器件基本結構
6.2.1 轉移電極結構
6.2.2 轉移信道結構
6.2.3 通道的橫嚮限製
6.2.4 輸入結構
6.2.5 輸齣結構
6.3 CCD的主要特性

6.4 電荷耦閤成像器件
6.4.1 綫陣電荷耦閤成像器件
6.4.2 麵陣電荷耦閤成像器件（ACCID）
6.4.3 兩種麵型結構成像器件的比較
6.4.4 掃描方式與讀齣轉移動作

6.5 彩色CCD成像器件
6.5.1 彩色攝像器件
6.5.2 數碼相機

6.6 CMOS型成像器件的像素構造
6.6.1 PN結光電二極管方式
6.6.2 光電門+FD方式
6.6.3 掩埋型光電二極管+FD方式
6.7 cMOS成像器件的彩色像素
6.8 CM（）S與CCD圖像器件的比較

第7章 緻冷型紅外成像器件
7.1 SPRITE紅外探測器
7.1.1 碲鎘汞的性質
7.1.2 SPRITE探測器的工作原理與結構
7.1.3 SPRITE探測器的響應率

7.2 紅外焦平麵陣列的結構和工作原理
7.2.1 紅外探測的原理
7.2.2 紅外焦平麵陣列特點
7.2.3 紅外焦平麵陣列的材料
7.2.4 混閤式IRFPA之倒裝式結構
7.2.5 混閤式IRFPA之Z平麵結構
7.2.6 單片式陣列之PtSi肖特基勢壘IR.FPA
7.2.7 單片式陣列之異質結探測元IRFPA
7.2.8 單片式陣列之MIS像元IRFPA
7.2.9 準單片式陣列結構

7.3.IRFPA的性能參數1
7.3.1 光伏型紅外探測器的電壓響應率1
7.3.2 光伏型紅外探測器的噪聲和探測率
7.3.3 光子探測器的背景輻射限製
7.3.4 IRFPA的其他特性簡述

7.4 紅外成像器件與材料的製備
7.4.1 材料製備技術
7.4.2 襯底的選擇與製備
7.4.3 PN結的製作

第8章 微測輻射熱計紅外成像器件
8.1 熱探測器的基本原理
8.1.1 熱探測器的基本原理
8.1.2 熱探測器的溫度噪聲限製

8.2 微測輻射熱計的工作原理
8.2.1 微測輻射熱計的工作模式
8.2.2 微測輻射熱計的工作原理
8.3 微測輻射熱計的結構

8.4 微測輻射熱計的響應率
8.4.1 微測輻射熱計熱平衡方程
8.4.2 無偏置的熱平衡方程的解
8.4.3 加偏置的熱平衡
8.4.4 V—I麯綫的計算
8.4.5 負載綫
8.4.6 帶偏置的微輻射計的低頻噪聲
8.4.7 微輻射計性能的數值計算

8.5 微測輻射熱計的噪聲
8.5.1 輻射計的電阻噪聲
8.5.2 偏置電阻的噪聲
8.5.3 熱傳導引起的溫度噪聲
8.5.4 輻射噪聲
8.5.5 整個電噪聲
8.5.6 前置放大器噪聲

8.6 微輻射計信噪比
8.6.1 噪聲等效功率（NEP）
8.6.2 噪聲等效溫差（NETD）
8.6.3 探測率
8.6.4 與理想輻射計相比較
8.6.5 J0hnson噪聲近似

第9章 熱釋電探測器和成像器件
9.1 熱釋電探測器的基本原理
9.1.1 熱釋電效應
9.1.2 熱釋電探測器特性分析

9.2 熱釋電材料和探測器
9.2.1 熱釋電材料
9.2.2 熱釋電探測器的結構形式
9.2.3 熱釋電探測器的特點

9.3 混閤型熱釋電成像器件的設計
9.3.1 熱隔離以提高溫度響應
9.3.2 像素間熱隔離以改進MTF
9.3.3 斬波器的結構

9.4 單片熱釋電成像器件
9.4.1 熱釋電薄膜材料
9.4.2 隔離結構
9.4.3 微機械加工傳感器的製作流程設計
9.4.4 熱釋電成像器件的集成電路

第10章 紫外探測與成像器件
10.1 紫外光的特性
10.1.1 紫外光波段的劃分
10.1.2 大氣對紫外光的吸收
10.1.3 紫外輻射源
10.2 紫外成像器件概述
10.3 紫外像增強器
10.4 GaN的性質

10.5 GaN和GaAIN材料的生長技術
10.5.1 分子束外延
10.5.2 有機金屬化學氣相沉積
10.6 器件的製作

10.7 紫外成像器件的基本結構
10.7.1 PIN結構紫外探測器
10.7.2 金屬／（A1）GaN肖特基勢壘結構
10.7.3 ITO／N—GaN肖特基勢壘結構
10.7.4 金屬一半導體一金屬（MSM）紫外探測器

第11章 X射綫探測與成像器件
11.1 X射綫的特性
11.1.1 X射綫的産生
11.1.2 X射綫透過和吸收特性
11.1.3 X射綫量的錶徵

11.2 x射綫探測與成像器件的分類
11.2.1 X射綫成像器件的分類
11.2.2 X射綫計算機斷層掃描技術
11.3 x射綫成像器件係統的性能指標

11.4 CSI／MCP反射式x射綫光電陰極
11.4.1 反射式X光陰極的物理過程
11.4.2 反射式X光陰極的量子效率

11.5 窗材料／陰極透射式X光陰極
11.5.1 窗材料／陰極透射式X光陰極物理過程
11.5.2 窗材料／陰極透射式X光陰極的量子效率

11.6 x射綫像增強器
11.6.1 X射綫像增強器的基本結構
11.6.2 近貼型X射綫像增強器
11.7 x射綫影像光電二極管陣列成像器件

11.8 直接數字x射綫影像器件
11.8.1 動態成像的直接轉換探測器的結構
11.8.2 動態成像的直接轉換探測器的工作原理
11.8.3 直接轉換成像器件的分辨本領
11.8.4 動態成像的直接轉換探測器的靈敏度
參考文獻

前言/序言

　　光電子器件是光電子技術的關鍵和核心部件，是現代光電技術與微電子技術的前沿研究領域，是信息技術的重要組成部分。光電子器件的範圍很廣，本書將主要講授光電子探測器件和光電子成像器件。目前，光電子器件發展十分迅猛，不斷采用新技術、利用新材料、研究新原理、開發新産品，各種新型器件不斷湧現、器件性能不斷提高。從可見光探測嚮微光、紅外、紫外、x射綫探測的器件，其探測範圍從R射綫至遠紅外甚至到亞毫米波段的廣闊的光譜區域，其探測元從點探測到多點探測至兩維成像器件，像元數越來越多，分辨本領越來越大。通過微光學機械電子技術的集成工藝，光電子器件的體積越來越小，集成度越來越高，各種新型固體成像器件不斷被開發成功，在很多方麵代替瞭傳統的真空光電器件。隨著光信息技術的需求，探測器頻率響應不斷被提高。本書從光電轉換原理人手，詳細地分析瞭光電探測器和光電成像器件的原理、結構、特性、應用。
　　光電子器件應用範圍十分廣闊，如傢用攝像機、手機相機、夜視眼鏡、微光攝像機、光電瞄具、紅外探測、紅外製導、紅外遙感、指紋探測、導彈探測、醫學檢測和透視等，從軍用産品擴展到民用産品，其使用領域難以勝數。
　　學習瞭本課程將較大地提高讀者的理論知識和基礎知識，使讀者能係統全麵地掌握光電探測與成像技術的精髓，提高專業水平和專業能力。本課程經過十多年的課程建設，書稿也在學校使用瞭多年，經多次修改纔得以正式齣版。希望通過本書能激勵讀者更好地擴展研究和學習光電技術新領域，更好地適應現代科技的發展以及社會對專業人纔的需求。
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