圖形化半導體材料特性手冊 9787030390103 下載 mobi epub pdf 電子書 2025

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季振國 著

圖書標籤:

• 半導體材料
• 圖形化手冊
• 材料特性
• 電子工程
• 物理學
• 高等教育
• 理工科
• 參考書
• 專業書籍
• 9787030390103

店鋪： 韻讀圖書專營店

齣版社： 科學齣版社

ISBN：9787030390103

商品編碼：29864996954

包裝：平裝

齣版時間：2013-11-01

圖書基本信息
圖書名稱	圖形化半導體材料特性手冊	作者	季振國
定價	118.00元	齣版社	科學齣版社
ISBN	9787030390103	齣版日期	2013-11-01
字數		頁碼
版次	1	裝幀	平裝
開本	16開	商品重量	0.4Kg

內容簡介

電子信息材料是發展極為迅速的一類材料，但是缺少相關的特性手冊。已有的類似書籍要不數據量少，要不數據陳舊，滿足不瞭讀者的需要。本書收集瞭大量的已經發錶的實驗數據，結閤作者多年來的實驗數據，編寫瞭這部手冊。為瞭便於讀者進行數據處理和比較，作者操作性地把收集到的實驗數據通過數值化手段轉換為數據文件，便於讀者進行各種數據處理。手冊數據量大，特性齊全，非常適閤相關領域的科技工作者和研究生使用。

作者簡介

目錄

前言 圖錶目錄 章數據結構說明 第2章金剛石（C） 第3章鍺（Ge） 第4章矽（Si） 第5章鍺矽閤金（Si1—xGex） 第6章碳化矽（SiC） 第7章灰锡（α—Sn） 第8章硫化鎘（（2dS） 第9章碲化鎘（（2dTe） 0章氧化鋅（Zn（）） 1章硫化鋅（ZnS） 2章氮化鎵（GaN） 3章砷化鎵（GaAs） 4章銻化銦（InSb） 5章氮化硼（BN） 6章磷化硼（BP） 7章銻化鋁（AISb） 8章銻化鎵（GaSb） 9章磷化銦（InP） 第20章磷化鎵（GaP） 第21章砷化銦（InAs） 第22章氮化銦（InN） 第23章砷化鋁（AlAs） 第24章磷化鋁（AlP） 第25章氮化鋁（AIN） 第26章鋁鎵砷（AlxGal—xAs） 第27章二氧化锡（snOg） 第28章二氧化鈦（TiO2） 參考文獻

編輯推薦

文摘

序言

《微電子器件物理與材料》 第一章 半導體材料基礎 本章旨在為讀者建立堅實的半導體材料基礎知識，深入探討其核心物理特性。我們將從原子尺度齣發，剖析半導體材料的晶體結構，理解不同晶格類型（如金剛石立方、閃鋅礦）如何影響電子的運動。重點將放在矽（Si）、鍺（Ge）以及砷化鎵（GaAs）等代錶性半導體材料上，分析它們的鍵閤特性、能帶結構，並詳細闡述絕緣體、半導體和導體的能帶差異。 我們還將深入探討本徵半導體的載流子濃度與溫度的關係，理解費米能級在純淨材料中的作用。在此基礎上，引入摻雜的概念，詳細介紹n型和p型半導體的形成機製，包括施主和受主雜質的作用。我們將分析摻雜濃度對載流子濃度的影響，並討論少數載流子和多數載流子的概念。 此外，本章還會涉及半導體材料的晶體缺陷，包括點缺陷（空位、間隙原子、取代原子）和綫缺陷（位錯）。我們將解釋這些缺陷如何影響材料的電學和光學性能，以及它們在器件製造中的重要性。對於體缺陷（如晶界、疇界），也會進行初步的介紹。 最後，本章將簡要迴顧半導體材料的製備方法，例如直拉法（CZ法）、浮區法（FZ法）等，以及晶體生長過程中影響材料質量的關鍵因素。 第二章 半導體中的載流子輸運 在奠定瞭材料基礎之後，本章將聚焦於載流子的輸運現象，這是理解半導體器件工作原理的關鍵。我們將詳細闡述兩種主要的輸運機製：漂移（Drift）和擴散（Diffusion）。 漂移是由於電場作用引起的載流子定嚮運動。我們將定義遷移率（Mobility）的概念，並深入分析其影響因素，包括材料本身的性質、溫度、雜質散射、聲學聲子散射和光學聲子散射等。我們會提供遷移率與電場強度之間的關係，並討論高電場下的飽和效應。 擴散是由於載流子濃度梯度引起的載流子運動。我們將引入擴散係數（Diffusion Coefficient）的概念，並解釋它與遷移率之間的關係（愛因斯坦關係）。我們將推導擴散電流密度公式，並分析在不同邊界條件下的擴散過程。 本章還將探討復閤（Recombination）與産生（Generation）現象。我們將區分直接復閤（Radiative Recombination）和間接復閤（Non-radiative Recombination），並介紹Shockley-Read-Hall（SRH）復閤機製，包括陷阱能級的作用。我們還會討論光生載流子産生以及熱載流子産生。 最後，我們將引入連續性方程（Continuity Equation），它描述瞭在時間和空間上載流子濃度的變化，結閤瞭産生、復閤和輸運過程。該方程是分析復雜半導體器件中載流子行為的基礎。 第三章 pn結的形成與特性 pn結是構建幾乎所有半導體器件的基礎單元，本章將對其進行詳盡的分析。我們將從一維pn結模型齣發，描述p型半導體和n型半導體在接觸後形成的內建電場、內建電勢以及耗盡區。 我們將推導pn結的平衡電勢和耗盡區寬度與摻雜濃度、介電常數和內建電勢之間的關係。重點分析外加電壓對耗盡區寬度的影響，並引入外延結和擴散結的概念。 接著，我們將詳細講解pn結在外加偏壓下的伏安特性。首先分析零偏壓下的平衡狀態，然後詳細闡述正嚮偏壓和反嚮偏壓下的電流-電壓關係。對於正嚮偏壓，我們將推導齣理想pn結的正嚮電流公式，並解釋其指數依賴性。對於反嚮偏壓，我們將分析反嚮飽和電流的來源，並重點討論擊穿現象，包括雪崩擊穿和齊納擊穿的機製。 本章還將探討pn結的電容特性。我們將分析其勢壘電容（Barrier Capacitance）與外加電壓的關係，並解釋其在高速器件中的重要性。此外，對於摻雜濃度不均勻的pn結，我們還將討論擴散電容（Diffusion Capacitance）的概念。 第四章 金屬-半導體接觸 金屬-半導體接觸是半導體器件中實現電信號注入和輸齣的關鍵。本章將係統地分析金屬與半導體接觸的形成機理及其界麵特性。 我們將區分理想肖特基接觸（Schottky Contact）和歐姆接觸（Ohmic Contact）。對於理想肖特基接觸，我們將分析金屬功函數和半導體功函數之間的關係如何決定接觸的性質，引入肖特基勢壘的高度。我們將詳細闡述肖特基勢壘結的伏安特性，並分析其正嚮和反嚮導電機製。 對於歐姆接觸，我們將探討如何通過特定的工藝，如高摻雜區域和退火，來形成低電阻的接觸。我們將解釋空腔隧穿、熱電子發射等歐姆接觸導電機製。 本章還將討論實際金屬-半導體接觸的復雜性，包括界麵態、雜質堆積、互擴散等可能導緻實際接觸行為偏離理想模型的原因。我們將探討常用的金屬材料以及用於形成歐姆接觸和肖特基接觸的工藝技術。 第五章 雙極型晶體管（BJT） 雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）是早期電子技術中的核心器件，本章將對其工作原理進行深入剖析。我們將重點介紹NPN型和PNP型BJT的結構，包括發射區、基區和集電區。 我們將詳細解釋BJT在放大區、飽和區和截止區的工作狀態。在放大區，我們將推導齣晶體管的電流增益（β）和跨導（gm），並解釋基極電流如何控製集電極電流。我們將分析不同偏置條件下的BJT特性麯綫。 本章還將深入探討BJT的載流子輸運機製。在發射區注入的載流子如何穿過基區到達集電區，以及基區復閤對電流增益的影響。我們將分析不同結構參數（如基區寬度、摻雜濃度）對BJT性能的影響。 我們還將討論BJT的非理想效應，例如基極電阻、集電極電阻、基極-集電區電容、高電場下的基區展寬效應（Early Effect）以及二次擊穿等。 最後，本章將簡要介紹BJT的等效電路模型，為電路設計提供便利。 第六章 場效應晶體管（FET） 場效應晶體管（Field-Effect Transistor, FET）是現代集成電路中的主流器件，本章將對其進行全麵介紹。我們將首先介紹結型場效應晶體管（JFET）的結構和工作原理，包括其耗盡型和增強型工作模式。 接著，我們將重點分析金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）。我們將詳細闡述MOSFET的結構，包括源極、漏極、柵極和襯底，以及柵介質（如SiO2）。我們將深入分析MOSFET的形成過程，包括柵氧化、摻雜等。 本章將重點講解MOSFET的電容-電壓（C-V）特性，包括錶麵勢、耗盡區電容和氧化層電容。在此基礎上，我們將詳細推導MOSFET在亞閾值區、綫性區（三極管區）和飽和區的漏極電流-柵極電壓（ID-VG）特性。我們將定義閾值電壓（VT），並解釋其與柵氧化層厚度、半導體錶麵摻雜濃度和氧化層錶麵狀態密度等因素的關係。 我們將分析MOSFET的跨導（gm）和輸齣電阻（ro），並討論短溝道效應、溝道長度調製效應、柵漏互電容等非理想效應。 此外，本章還將介紹幾種重要的MOSFET變體，如NMOS、PMOS、CMOS（互補金屬氧化物半導體）以及SOI（絕緣體上矽）器件。 第七章 光電器件基礎 本章將介紹半導體材料在光與電相互作用方麵的應用，即光電器件。我們將首先迴顧光與物質相互作用的基本原理，包括光子的吸收、激發和復閤。 我們將詳細介紹半導體光電器件的核心類型：光電二極管（Photodiode）和發光二極管（LED）。對於光電二極管，我們將分析其作為光探測器的基本原理，包括光生載流子在pn結內建電場下的分離和收集，形成光電流。我們將介紹不同類型的光電二極管，如PIN光電二極管和雪崩光電二極管（APD）。 對於發光二極管，我們將解釋其發光原理，即載流子在pn結中復閤時，將能量以光子的形式釋放齣來。我們將討論LED的發光效率、發光顔色與材料禁帶寬度以及摻雜類型之間的關係。本章還將介紹LED的結構和性能參數。 此外，我們還將簡要介紹其他重要的光電器件，如太陽能電池（Photovoltaic Device）和光電晶體管。 第八章 集成電路製造工藝概述 本章將為讀者勾勒齣集成電路（IC）製造的宏觀流程，使其瞭解復雜的半導體器件是如何一步步被製造齣來的。我們將從矽晶圓的製備開始，介紹矽提純、單晶生長以及晶圓拋光等過程。 接著，我們將介紹集成電路製造中最關鍵的工藝步驟： 氧化（Oxidation）： 在高溫下，矽與氧氣反應形成二氧化矽（SiO2）層，作為柵介質、絕緣層和掩膜層。 光刻（Photolithography）： 利用光化學反應，將電路圖形從掩模版轉移到光刻膠上，是實現器件微細化的核心技術。 刻蝕（Etching）： 選擇性地去除不需要的材料，包括乾法刻蝕（等離子刻蝕）和濕法刻蝕。 摻雜（Doping）： 通過離子注入或擴散的方式，在半導體材料中引入雜質，改變其電學性質，形成pn結和晶體管的溝道等。 薄膜沉積（Thin Film Deposition）： 通過物理氣相沉積（PVD）或化學氣相沉積（CVD）等方法，在襯底上沉積各種功能薄膜，如金屬導綫、介質層等。 金屬化（Metallization）： 沉積金屬層以形成器件的電極和互連綫。 我們將簡要介紹這些工藝的物理過程和設備，並強調它們在集成電路製造中的重要性。本章旨在為讀者提供一個初步的瞭解，為後續更深入的器件物理研究打下基礎。

评分☆☆☆☆☆

我對半導體材料的理解，一直停留在教科書上的理論層麵，缺乏一種直觀的認識。這本《圖形化半導體材料特性手冊》則徹底改變瞭我的看法。書中用大量的示意圖，生動地展示瞭不同半導體材料的晶體結構，例如金剛石立方結構、閃鋅礦結構、縴鋅礦結構等。我能清晰地看到原子是如何排列，鍵閤是如何形成的，以及這些結構差異如何影響材料的電子結構和光學性質。例如，在介紹III-V族化閤物半導體時，書中用多種顔色和形狀的原子球，清晰地展示瞭GaAs、InP等材料的原子排列方式，以及它們各自的能帶結構。對於一些復雜的概念，如莫特-肖特基結、異質結等，書中也通過多層級的截麵圖和能帶圖，進行瞭詳細的解釋。我特彆喜歡書中關於量子點和二維材料的部分，書中用精美的三維渲染圖，展示瞭這些納米材料的獨特結構，以及它們在量子效應和錶麵效應下的特殊性質。這本書不僅讓我學到瞭知識，更讓我對半導體材料産生瞭濃厚的興趣，激發瞭我進一步探索的欲望。

评分☆☆☆☆☆

在我看來，一本好的技術書籍，不僅僅在於內容的深度，更在於其呈現方式能否有效地傳遞信息。這本《圖形化半導體材料特性手冊》在這方麵做得非常齣色。它避免瞭晦澀難懂的專業術語堆砌，而是通過大量的圖例和示意圖，將復雜的概念變得生動形象。例如，在介紹摻雜對居裏溫度的影響時，書中用一個簡化的模型，展示瞭雜質原子如何影響鐵電疇的排列，從而改變材料的鐵電性能。這種圖形化的解釋，比單純的數學公式更能讓讀者産生共鳴。書中關於不同半導體材料在不同溫度下的載流子濃度變化圖，清晰地展示瞭本徵半導體和摻雜半導體的行為差異，以及溫漂效應。這對於設計工作在寬溫度範圍內的器件至關重要。我也非常欣賞書中對各種半導體材料在光學特性方麵的闡述，例如光吸收係數、摺射率、反射率等，都配有對應的光譜圖和示意圖，讓我們能夠直觀地瞭解不同材料在不同波段的光學響應。這本書的價值在於，它能夠幫助讀者快速建立起對半導體材料特性的整體認知，而不僅僅是零散的知識點。

评分☆☆☆☆☆

作為一名資深的半導體器件設計工程師，我習慣瞭查閱大量的技術文檔和數據庫來獲取材料特性信息。然而，這些信息往往分散且格式不統一，查找和對比效率低下。這本《圖形化半導體材料特性手冊》則提供瞭一個全新的解決方案。它以圖形化的方式，將繁雜的材料特性數據以一種直觀、易於理解的方式呈現齣來。我特彆喜歡書中關於不同晶體結構對電子能帶影響的章節。通過不同原子排列方式的示意圖，以及與之對應的能帶結構圖，能夠快速理解為什麼某些晶體結構會形成直接帶隙，而另一些則形成間接帶隙，這對於選擇閤適的材料用於光電器件至關重要。書中關於錶麵態、界麵態的講解也十分精彩，通過圖形化的展示，讓我們能夠理解這些缺陷是如何形成以及它們對器件性能的影響。我甚至可以用書中提供的圖形化思路，來構思新的器件結構和設計方案。對於我來說，這本書不僅僅是一本手冊，更是一本激發創新思維的工具書。它讓我能夠從更宏觀和直觀的角度去理解半導體材料的本質，從而在設計中做齣更優化的選擇。

评分☆☆☆☆☆

作為一名在半導體行業摸爬滾打多年的工程師，我一直苦於缺乏一本能夠直觀、係統地闡述半導體材料特性的書籍。市麵上雖然不乏理論深厚的專著，但往往枯燥晦澀，對於一綫工程師而言，難以快速掌握核心概念並將其應用於實際問題。而最近偶然翻閱到的這本《圖形化半導體材料特性手冊》，則像一股清流，徹底改變瞭我對這類技術書籍的認知。初次拿到它，就被其精美的排版和大量高質量的插圖所吸引。這本書沒有采用傳統的文字堆砌模式，而是將復雜的物理概念、材料結構和器件模型，通過生動形象的圖形、圖錶和示意圖一一呈現。例如，在介紹能帶結構時，作者並非僅僅給齣抽象的能量-波數麯綫，而是通過多層級的能量分布圖，清晰地展示瞭導帶、價帶、費米能級以及它們隨溫度、摻雜濃度等因素的變化。這種“所見即所得”的呈現方式，極大地降低瞭理解門檻，即使是對半導體理論瞭解不深的讀者，也能在輕鬆愉快的閱讀過程中，建立起對材料特性的直觀認識。更令人稱贊的是，本書在圖形化錶達上煞費苦心，每一個圖錶都精心設計，力求簡潔明瞭，信息密度高，卻又不至於讓人眼花繚亂。對於某些關鍵的物理過程，如載流子輸運、pn結形成、光電轉換等，作者更是運用瞭動態的示意圖（雖然書中是靜態圖，但其設計思路仿佛可以引申齣動態的演示），將抽象的微觀過程可視化，讓我們能夠“看到”電子和空穴的運動軌跡，理解電場和載流子的相互作用。這種將復雜理論“圖形化”的思路，對於那些需要快速學習和掌握半導體材料特性，並在實際工作中加以應用的研究者和工程師來說，無疑是一筆寶貴的財富。它讓枯燥的物理學知識變得鮮活起來，激發瞭我們深入探索的興趣。

评分☆☆☆☆☆

作為一名物理係的研究生，我一直認為物理學的魅力在於其能夠用簡潔的數學語言描述復雜的自然現象。然而，有時過於抽象的數學錶達會讓人失去對物理本質的直觀感受。這本《圖形化半導體材料特性手冊》則恰好彌補瞭這一點。書中對費米-狄拉剋統計、玻爾茲曼分布等基本統計力學概念，都配有直觀的圖形化解釋，讓我們能夠理解這些分布是如何隨能量和溫度變化的。對於半導體中的散射機製，如聲子散射、雜質散射等，書中也用生動的示意圖展示瞭載流子與晶格振動、雜質原子的相互作用過程。我尤其喜歡書中關於霍爾效應的講解，通過一個簡化的模型，直觀地展示瞭磁場如何影響載流子的運動軌跡，從而産生霍爾電壓。這種圖形化的解析方式，讓我能夠將抽象的公式與具體的物理過程聯係起來，加深瞭對霍爾效應的理解。本書的另一個亮點在於，它不僅介紹瞭材料的靜態特性，還對一些動態過程進行瞭圖形化的展示，例如載流子弛豫過程、激子形成過程等。這對於理解半導體器件的動態響應非常有幫助。

评分☆☆☆☆☆

對於一個長期從事理論研究的學者而言，有時會覺得過於依賴抽象的數學模型，而忽略瞭材料的實際物理錶現。這本《圖形化半導體材料特性手冊》恰恰彌補瞭這一不足。書中對各種半導體材料的製備工藝，如CVD、MBE、外延生長等，都輔以詳細的流程圖和設備示意圖，讓我們能夠直觀地瞭解這些工藝如何影響最終材料的晶體質量、錶麵形貌和成分分布。例如，在介紹晶格缺陷時，書中不僅列舉瞭空位、間隙原子、位錯等常見的缺陷類型，還通過高分辨率的透射電子顯微鏡（TEM）圖像和分子動力學模擬的圖形化展示，讓我們能夠清晰地“看到”這些缺陷的存在及其對電子結構的影響。我特彆欣賞書中關於異質結器件特性的部分。作者通過大量的截麵圖和能帶圖，詳細闡述瞭p-n結、MOSFET、BJT等典型器件的內部結構和工作原理。例如，在講解MOSFET的溝道形成過程時，書中通過多幅連續的圖形，清晰地展示瞭柵電壓如何改變半導體錶麵載流子分布，從而形成導電溝道。這種圖形化的講解方式，極大地提升瞭理論與實際的聯係，也為我的研究提供瞭新的視角和靈感，幫助我思考如何通過調整材料特性來優化器件性能。

评分☆☆☆☆☆

這本書就像一本“看得懂”的半導體材料百科全書，讓我這個非專業齣身的讀者也能夠輕鬆地理解其中的奧秘。我一直對各種半導體器件的內部結構感到好奇，這本書用大量的剖麵圖，非常清晰地展示瞭pn結、MOSFET、IGBT等器件的內部層級結構、摻雜區域以及電場分布。例如，在介紹PIN二極管時，書中用一個多層結構圖，清楚地展示瞭P區、I區、N區的厚度和摻雜濃度，以及它們在正嚮偏壓和反嚮偏壓下的載流子分布和電場變化。這讓我能夠直觀地理解這些器件是如何工作的。書中還包含瞭很多與實際應用相關的圖錶，例如不同半導體材料在太陽能電池、LED、激光器等器件中的應用示意圖，以及它們在不同工作條件下的性能錶現。這讓我能夠將書中所學的理論知識與實際應用聯係起來，更好地理解半導體材料在現代科技中的重要作用。這本書的圖文並茂，生動形象，讓學習過程變得輕鬆有趣，我非常樂於嚮其他有興趣的讀者推薦。

评分☆☆☆☆☆

我是一名電子工程專業的本科生，正在準備畢業設計，需要對幾種不同類型的半導體材料進行性能比較和選擇。這本書的齣現，對我來說簡直是雪中送炭。它係統地介紹瞭各種主流半導體材料，如矽、鍺、砷化鎵、氮化鎵等，並用直觀的圖錶對比瞭它們在禁帶寬度、載流子遷移率、擊穿電壓、熱導率等關鍵參數上的差異。例如，在討論寬禁帶半導體材料（如GaN）的優勢時，書中通過一個形象的“能量勢壘”圖，直觀地展示瞭寬禁帶材料能夠承受更高的電場，從而實現更高的擊穿電壓。對於有機半導體材料，書中還配有其分子結構和堆積方式的示意圖，以及相關的電荷傳輸機理的圖形化解釋。這讓我能夠清晰地理解為什麼這些材料會展現齣不同的電學和光學特性。此外，書中還包含瞭大量的實驗數據圖錶，如I-V特性麯綫、C-V特性麯綫、PL譜、XRD圖譜等，並對這些圖譜中的特徵峰和麯綫變化給齣瞭直觀的解釋。這對於我進行實驗數據的分析和解讀非常有幫助。整本書的編排邏輯清晰，信息層層遞進，非常適閤作為入門和進階學習的參考。

评分☆☆☆☆☆

我是一名剛入職的大學畢業生，在實驗室裏接觸到一些半導體器件的錶徵工作，常常會遇到各種數據和參數，但往往對這些參數背後的物理意義理解不夠深入。這本《圖形化半導體材料特性手冊》簡直是為我量身定做的！我記得有一次，在處理一批矽襯底的測試數據時，看到瞭“遷移率”這個參數，手冊裏用一係列清晰的圖示，直觀地展示瞭電子和空穴在不同晶格缺陷、雜質和電場作用下的運動狀態，並且用簡潔的數學模型和對應的圖形化解釋，說明瞭遷移率下降的原因。這比我在教科書上看到的那些冷冰冰的公式要易懂得多。書中關於半導體材料的分類，從元素半導體到化閤物半導體，再到有機半導體，每一類都配有詳細的結構示意圖，展示瞭其原子排列、化學鍵閤方式，以及由此帶來的電子結構差異。我尤其喜歡書中關於摻雜對材料電學性質影響的章節，通過對比圖，清楚地展示瞭不同摻雜劑（如P和B）在矽晶格中的位置，以及它們如何引入多餘的電子或空穴，從而改變材料的導電類型和導電率。這種“圖文並茂”的學習方式，讓我能夠觸類旁通，理解不同材料之間性能差異的根源。而且，這本書的語言風格也非常親切，沒有使用過多生僻的專業術語，即使是初學者，也能在閱讀過程中逐步建立起自己的知識體係。我感覺這本書就像一位經驗豐富的導師，用最直觀的方式，一步步引導我理解這些復雜的技術細節。

评分☆☆☆☆☆

作為一名老牌的半導體工藝工程師，我在工作中常常需要麵對大量的材料特性數據，並且需要根據這些數據來優化工藝流程。這本《圖形化半導體材料特性手冊》為我提供瞭一個非常有效的工具。書中關於各種錶麵處理技術，如清洗、刻蝕、澱粉等，都配有相應的工藝流程圖和顯微圖像，讓我們能夠直觀地瞭解這些工藝對材料錶麵形貌和特性的影響。例如，在介紹化學機械拋光（CMP）時，書中用一個簡化的模型，展示瞭拋光液和拋光墊如何協同作用，去除材料錶麵的凸起部分，實現平坦化。這對於理解CMP的機理和優化工藝參數至關重要。書中還包含瞭很多關於材料失效分析的圖例，例如晶體管的擊穿模式、電遷移損傷等，這些都配有相應的故障圖像和機理分析圖。這對於我進行失效分析和預防非常有幫助。這本書的價值在於，它將抽象的工藝參數和復雜的失效機理，通過圖形化的方式變得具體而直觀，大大提高瞭我的工作效率。