數字電子技術基礎輔導講案 下載 mobi epub pdf 電子書 在線閱讀 2026

基本信息

書名:數字電子技術基礎輔導講案

定價：17.00元

售價：11.6元,便宜5.4元,摺扣68

作者:陳誌武

齣版社：西北工業大學齣版社

齣版日期：2007-08-01

ISBN：9787561222621

字數：

頁碼：382

版次：1

裝幀：平裝

開本：大32開

商品重量：0.322kg

編輯推薦

內容提要

《數字電子技術基礎輔導講案（第4版）》是根據清華大學閻石主編的《數字電子技術基礎》（第四版）內容，依據編者講課的講稿為藍本編寫而成。全書按照本講內容聚焦，知識結構圖解，重點、難點點擊，典型例題，課後作業，主講教材課後習題全解，課程考試真題及參考答案等幾個部分來編寫。《數字電子技術基礎輔導講案（第4版）》旨在幫助讀者掌握課程重點，學會分析方法，提高解題能力，為課程考試和考研的讀者提供幫助。
《數字電子技術基礎輔導講案（第4版）》可供使用《數字電子技術基礎》（第四版）教材的讀者和教師參考，亦可作為使用其他教材的讀者或考研讀者的參考書。

目錄

作者介紹

文摘

序言

《微電子學導論：現代計算與通信的基石》 內容概述 本書旨在為讀者提供一個全麵而深入的微電子學基礎知識體係，揭示瞭現代電子設備和通信係統得以實現的根本原理。從最基礎的半導體器件特性入手，逐步深入到數字邏輯的設計與實現，再拓展至集成電路的製造工藝與應用。本書注重理論與實踐的結閤，通過詳細的原理闡述、豐富的實例分析和清晰的圖示，幫助讀者建立對微電子技術從宏觀到微觀的深刻理解。 第一章：半導體材料與PN結 本章是理解一切微電子器件的基礎。我們將首先迴顧原子結構和共價鍵等基礎物理概念，然後介紹兩種最重要的半導體材料——矽（Si）和鍺（Ge）的晶體結構和導電特性。我們將詳細講解本徵半導體的導電機製，並深入探討雜質半導體，包括N型和P型半導體的形成過程及其載流子濃度。 PN結是構成所有半導體器件的核心結構。本章將詳細分析PN結在不同偏置（零偏、正偏、反偏）下的電場分布、勢壘電壓以及載流子運動，從而解釋PN結的單嚮導電性。我們還將探討PN結的電容效應，這在高速電路設計中至關重要。通過這一章的學習，讀者將能夠理解二極管的基本工作原理。 第二章：半導體二極管與三極管 基於PN結的原理，本章將深入介紹幾種最常見的半導體二極管。我們將詳細講解普通PN結二極管的伏安特性麯綫、動態電阻以及各種應用，如整流、穩壓等。隨後，我們將介紹特殊功能的二極管，包括齊納二極管（穩壓）、發光二極管（LED，發光原理、顔色控製）以及光電二極管（光電探測）。 三極管（BJT）是電子電路中的“開關”和“放大器”。本章將詳細講解NPN和PNP型雙極結型三極管的結構、工作原理和三種基本工作狀態（截止、放大、飽和）。我們將詳細分析三極管的各電極電流關係、輸入特性麯綫、輸齣特性麯綫以及電流放大係數（β）和跨導（gm）的概念。重點將放在三極管的放大電路，包括不同組態（共射、共集、共基）的特點和應用。 第三章：場效應晶體管（FET） 與雙極結型三極管不同，場效應晶體管（FET）是電壓控製型器件，具有高輸入阻抗等優點，在現代集成電路中扮演著極其重要的角色。本章將首先介紹結型場效應晶體管（JFET）的結構、工作原理和特性麯綫，解釋其柵極電壓如何控製溝道中的電流。 接著，我們將重點講解金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET），這是現代集成電路中最普遍的器件。我們將詳細介紹增強型和耗盡型MOSFET的結構（NMOS和PMOS），工作原理，包括閾值電壓（Vt）、跨導（gm）以及轉移特性和輸齣特性麯綫。我們將深入探討MOSFET在數字邏輯電路中的應用，如作為開關元件，以及在模擬電路中的放大作用。 第四章：基本電子電路分析 本章將引導讀者學習如何分析和設計基本的電子電路。我們將介紹電路的直流分析方法，包括歐姆定律、基爾霍夫定律的應用。然後，我們將重點關注交流小信號分析，講解如何使用等效電路模型（如混閤π模型）來分析放大電路的電壓增益、電流增益、輸入阻抗和輸齣阻抗。 我們將分析幾種重要的基本放大電路，如單級放大器（共射放大器、共集放大器、共基放大器）的性能特點和應用場閤。此外，還將介紹多級放大器的概念，以及反饋在放大電路中的作用，包括負反饋對電路穩定性和性能的改善。 第五章：信號的産生與放大 本章將深入探討信號的産生與放大技術。我們將介紹振蕩器的工作原理，解釋如何利用正反饋和頻率選擇元件（如LC、RC電路）來産生周期性的電信號。我們將分析幾種經典的振蕩器電路，如RC移相振蕩器、LC諧振振蕩器（如哈特利振蕩器、科勒振蕩器）及其特點。 在放大方麵，我們將進一步探討不同類型的放大器，包括寬帶放大器（用於信號傳輸）、功率放大器（用於驅動負載）以及運算放大器（Op-amp）。我們將重點講解運算放大器的基本結構（差分放大器、增益級、輸齣級），理解其高開環增益、高輸入阻抗和低輸齣阻抗的特性。通過虛短和虛斷等概念，我們將展示如何利用運算放大器構建各種基本模擬電路，如加法器、減法器、積分器、微分器等。 第六章：數字邏輯基礎 從本章開始，我們將轉嚮數字電子領域。首先，我們將介紹數字信號與模擬信號的區彆，以及二進製、十進製和十六進製等數製轉換。接著，我們將詳細講解數字邏輯中最基本也是最重要的“邏輯門”，包括與門（AND）、或門（OR）、非門（NOT）。 在此基礎上，我們將介紹組閤邏輯門，如與非門（NAND）、或非門（NOR）、異或門（XOR）和同或門（XNOR）。我們將深入講解布爾代數的基本定理和定律，以及如何利用卡諾圖（Karnaugh Map）等方法進行邏輯函數的化簡，從而優化數字電路的設計。 第七章：組閤邏輯電路 本章將基於前麵介紹的邏輯門，講解各種組閤邏輯電路的設計和應用。我們將詳細分析和設計常用的組閤邏輯電路模塊，包括編碼器（Encoder，例如十進製轉二進製）、譯碼器（Decoder，例如二進製轉十進製，常用於地址譯碼）、多路選擇器（Multiplexer，MUX，選擇多個輸入中的一個輸齣）和分路器（Demultiplexer，DEMUX，將一個輸入分發到多個輸齣）。 我們還將講解加法器（Adder）的設計，包括半加器、全加器及其級聯，實現多位二進製數的加法運算。此外，還會涉及減法器（Subtractor）的設計。這些組閤邏輯電路是構建更復雜數字係統的基本單元。 第八章：時序邏輯電路 與組閤邏輯電路不同，時序邏輯電路的輸齣不僅取決於當前的輸入，還取決於電路 past 的狀態，即具有“記憶”功能。本章將首先介紹觸發器（Flip-Flop）的概念，它是構成時序邏輯電路的基本存儲單元。我們將詳細講解各種類型的觸發器，如SR觸發器、JK觸發器、D觸發器和T觸發器，以及它們的邏輯功能、狀態轉換圖和特性方程。 在此基礎上，我們將講解鎖存器（Latch），以及它們與觸發器的區彆。然後，我們將介紹寄存器（Register）的設計，用於存儲多位二進製信息。最後，我們將講解計數器（Counter）的設計，包括同步計數器和異步計數器，以及各種應用，如二進製計數器、十進製計數器、移位寄存器等。 第九章：數字邏輯設計與微處理器基礎 本章將整閤前麵章節的知識，介紹數字邏輯設計的實踐方法。我們將學習如何從係統功能需求齣發，進行狀態機的設計，包括狀態圖、狀態錶和狀態方程的推導。我們將瞭解可編程邏輯器件（PLD），如可編程邏輯陣列（PLA）、可編程陣列邏輯（PAL）以及通用可編程邏輯器件（CPLD）和現場可編程門陣列（FPGA），它們為實現復雜的數字邏輯提供瞭靈活的硬件平颱。 最後，本章將初步介紹微處理器的基本結構和工作原理。我們將講解CPU的組成部分，如算術邏輯單元（ALU）、控製器和寄存器組，以及指令的執行過程（取指令、譯碼、執行）。我們將觸及指令集架構（ISA）的概念，以及存儲器和輸入/輸齣（I/O）設備如何與CPU交互，為理解現代計算係統的核心奠定基礎。 第十章：集成電路（IC）工藝與應用 本章將帶讀者走進微電子技術的“幕後”，瞭解集成電路是如何製造齣來的。我們將介紹半導體製造的基本流程，包括晶圓製造、光刻（photolithography）、外延生長、擴散、離子注入、薄膜沉積、刻蝕等關鍵工藝步驟。我們將解釋MOSFET和BJT等器件是如何在矽片上集成的。 然後，我們將介紹不同類型的集成電路，包括模擬集成電路（如運算放大器、穩壓器）和數字集成電路（如微處理器、存儲器）。我們將討論數字信號處理器（DSP）在信號處理領域的應用，以及微控製器（MCU）在嵌入式係統中的重要性。最後，本章將展望微電子技術的未來發展趨勢，如摩爾定律的延續、三維集成、新興材料和量子計算的可能性。 本書特色 循序漸進的知識體係： 從基礎的半導體器件原理，逐步深入到復雜的數字邏輯設計和集成電路工藝，邏輯清晰，易於理解。 原理與實例相結閤： 每一章節都配有豐富的實例分析，幫助讀者將抽象的理論知識應用於實際電路的分析與設計。 圖文並茂的呈現方式： 大量清晰的電路圖、波形圖和器件結構圖，直觀地展示瞭電子器件的工作原理和電路的連接方式。 麵嚮現代電子技術的視野： 覆蓋瞭從基本電子元件到微處理器和集成電路製造的廣泛內容，為讀者理解現代電子技術奠定堅實基礎。 通過學習本書，讀者將能夠掌握分析和設計基本電子電路的能力，理解數字邏輯電路的工作原理，並對現代微電子技術有一個全麵而深入的認識，為進一步深入學習電子工程、計算機科學或相關領域打下堅實的根基。