RTDK 用于恶劣环境的碳化硅微机电系统 9787030268624 科学出版社

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英张,王晓浩,唐飞,王文弢 著



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发表于2024-10-31

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图书介绍

店铺: 晓月草堂图书专营店
出版社: 科学出版社
ISBN:9787030268624
商品编码:29604245433
包装:平装
出版时间:2010-03-01


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图书描述

基本信息

书名:用于恶劣环境的碳化硅微机电系统

定价:35.00元

作者:(英)张,王晓浩,唐飞,王文弢

出版社:科学出版社

出版日期:2010-03-01

ISBN:9787030268624

字数:

页码:

版次:1

装帧:平装

开本:16开

商品重量:0.640kg

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内容提要


碳化硅以其优异的温度特性、电迁移特性、机械特性等,越来越被微电子和微机电系统研究领域所关注,不断有新的研究群体介入这一材料及其应用的研究。《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》是目前译者见到的一本系统论述碳化硅微机电系统的著作,作者是来自英国、美国从事碳化硅微机电系统研究的几位学者,他们系统综述了碳化硅生长、加工、接触、腐蚀和应用等环节的技术和现状,汇聚了作者大量的经验和智慧。
  《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》可供从事微电子、微机械研究的科研人员参考阅读,也可以作为研究生专业课程教材或参考书目。

目录


译者序
前言
章 SiCMEMS概述
 1.简介
 2.SiC材料性能
 3.制作微机电(MEM)器件
 4.表面改性
 5.SiCMEMS的频率调谐
 6.MEMS的机械测试
 7.应用举例
 8.小结
 参考文献
第2章 SiCMEMS沉积技术
 1.概述
 2.与SiC沉积相关的问题
 3.APCVD
 4.PE(2VD
 5.LPCVD
 6.LPCⅧSiC薄膜的掺杂
 7.其他沉积方法
 8.小结
 参考文献
第3章 与SiC接触开发相关的问题综述
 1.概述
 2.热稳定性
 3.p型SiC的欧姆接触
 4.使用Ni的欧姆接触
 5.肖特基接触缺陷的影响
 6.小结
 参考文献
第4章 SiC的干法刻蚀
 1.概述
 2.等离子刻蚀基础
 3.SiC的等离子刻蚀
 4.等离子体化学
 5.掩膜材料
 6.近期发展及未来展望
 7.小结
 参考文献
第5章 SiCMEMS的设计、性能和应用
 1.概述
 2.SiCMEMS器件
 3.结论和展望
参考文献
附录

作者介绍


文摘


序言



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