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齣版社： 機械工業
ISBN：9787111586807
商品編碼：27630263042
具體描述
| 商品名稱： | 碳化矽技術基本原理——生長、錶徵、器件和應用 |
| 作者： | [日] 木本恒暢（Tsunenobu Kimoto）[美] 詹姆士 A. 庫珀（Ja |
| 市場價： | 150.00 |
| ISBN號： | 9787111586807 |
| 版次： | 1-1 |
| 齣版日期： | |
| 頁數： | 499 |
| 字數： | 649 |
| 齣版社： | 機械工業齣版社 |
本書是一本有關碳化矽材料、器件工藝、器件和應用方麵的書籍，其主題包括碳化矽的物理特性、晶體和外延生長、電學和光學性能的錶徵、擴展缺陷和點缺陷，器件工藝、功率整流器和開關器件的設計理念，單／雙極型器件的物理和特徵、擊穿現象、高頻和高溫器件，以及碳化矽器件的係統應用，涵蓋瞭基本概念和新發展現狀，並針對每個主題做深入的闡釋，包括基本的物理特性、新的理解、尚未解決的問題和未來的挑戰。
譯者序
原書前言
原書作者簡介
１章 導論１
１.１ 電子學的進展１
１.２ 碳化矽的特性和簡史３
１.２.１ 早期曆史３
１.２.２ ＳｉＣ晶體生長的革新４
１.２.３ ＳｉＣ功率器件的前景和展示５
１.３ 本書提綱６ 參考文獻７
２章 碳化矽的物理性質１０
３章 碳化矽晶體生長３６
４章 碳化矽外延生長７０
５章 碳化矽的缺陷及錶徵技術１１７
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