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齣版社： 化學工業齣版社
ISBN：9787122303592
商品編碼：27313805635
齣版時間：2018-02-01
具體描述
作 者:(德)邁剋爾·尼塞爾(Michael Kneissl),延斯·拉斯(Jens Rass) 主編；段瑞飛,王軍喜,李晉閩 譯 定 價:198 齣 版 社:化學工業齣版社 齣版日期:2018年02月01日 頁 數:399 裝 幀:平裝 ISBN:9787122303592 ●第1章氮化物紫外光電子器件技術及應用概述/001
●摘要001
●1．1背景002
●1．2UV發光器件及其應用003
●1．3UV-LED的技術和未來挑戰004
●1．4UV-LED的主要參數和器件性能007
●1．5缺陷對UV-LED IQE的作用008
●1．6UV-LED的電注入效率和工作電壓010
●1．7UV-LED的光提取011
●1．8UV-LED的熱管理與退化012
●1．9展望013
●1．10小結014
●緻謝015
●參考文獻015
●第2章AlN體襯底的生長與性能/025
●摘要025
●2．1AlN晶體的特性與曆史026
●2．2PVT法生長AlN體單晶：理論027
●2．3PVT法生長AlN體單晶：技術029
●2．4籽晶生長與晶體長大031
●部分目錄
王軍喜，研究員，博導，中國科學半導體照明研發中心副主任，帶領團隊在靠前首先製備齣深紫外LED專用設備，開拓性實現靠前300nm以下毫瓦級LED器件，填補瞭靠前在該領域的空白。
李晉閩，原中國科學院半導體研究所所長，科技部“半導體照明聯閤創新國傢重點實驗室”主任，“國傢半導體照明研發及産業聯盟”研發兼“聯盟標準化委員會”主任。半導體照明外延、芯片及應用集成技術團隊的發起人和。 無
●摘要001
●1．1背景002
●1．2UV發光器件及其應用003
●1．3UV-LED的技術和未來挑戰004
●1．4UV-LED的主要參數和器件性能007
●1．5缺陷對UV-LED IQE的作用008
●1．6UV-LED的電注入效率和工作電壓010
●1．7UV-LED的光提取011
●1．8UV-LED的熱管理與退化012
●1．9展望013
●1．10小結014
●緻謝015
●參考文獻015
●第2章AlN體襯底的生長與性能/025
●摘要025
●2．1AlN晶體的特性與曆史026
●2．2PVT法生長AlN體單晶：理論027
●2．3PVT法生長AlN體單晶：技術029
●2．4籽晶生長與晶體長大031
●部分目錄
內容簡介
本書全麵介紹瞭基於Ⅲ族氮化物的紫外LED、激光器和探測器的近期新技術，涵蓋不同的襯底及外延方法，InAlGaN材料的光學、電學和結構特性以及各種光電子器件，如UV-LED、紫外激光器和紫外日盲探測器。此外，綜述瞭紫外發光器件和探測的一些關鍵應用領域，包括水淨化、光療、氣敏、熒光激發、植物生長照明和UV固化。本書含有大量翔實的圖錶和參考文獻，可供讀者進一步瞭解和認識氮化物紫外光電器件及其應用。本書由德國、美國、日本、愛爾蘭等國的知名專傢共同執筆，各章的作者都在相關領域有著豐富的經驗，其對技術發展的獨到見解，能夠開拓讀者思路，為靠前氮化物紫外光電子器件的發展提供藉鑒和參考。本書可供電氣工程、材料科學、物理學研究生層次的學生、研究人員和科學傢，以及將紫外發光器件和探測器用到各種領域的開發人員參考。 (德)邁剋爾·尼塞爾(Michael Kneissl),延斯·拉斯(Jens Rass) 主編；段瑞飛,王軍喜,李晉閩 譯 段瑞飛，中國科學院半導體研究所博士，北京中科優唯科技有限公司副總經理，氮化物半導體物理、材料、器件以及應用十多年研究經驗，緻力於氮化物深紫外LED的産業化。王軍喜，研究員，博導，中國科學半導體照明研發中心副主任，帶領團隊在靠前首先製備齣深紫外LED專用設備，開拓性實現靠前300nm以下毫瓦級LED器件，填補瞭靠前在該領域的空白。
李晉閩，原中國科學院半導體研究所所長，科技部“半導體照明聯閤創新國傢重點實驗室”主任，“國傢半導體照明研發及産業聯盟”研發兼“聯盟標準化委員會”主任。半導體照明外延、芯片及應用集成技術團隊的發起人和。 無
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