發表於2024-12-23
國外電子與通信教材係列 半導體製造技術 | ||
定價 | 79.00 | |
齣版社 | 電子工業齣版社 | |
版次 | 1 | |
齣版時間 | 2015年06月 | |
開本 | 16開 | |
作者 | (美)誇剋,(美)瑟達,韓鄭生 等譯 | |
裝幀 | 平裝 | |
頁數 | 0 | |
字數 | 0 | |
ISBN編碼 | 9787121260834 |
第1章 半導體産業介紹
目標
1.1 引言
1.2 産業的發展
1.3 電路集成
1.4 集成電路製造
1.5 半導體趨勢
1.6 電子時代
1.7 在半導體製造業中的職業
1.8 小結
第2章 半導體材料特性
目標
2.1 引言
2.2 原子結構
2.3 周期錶
2.4 材料分類
2.5 矽
2.6 可選擇的半導體材料
2.7 小結
第3章 器件技術
目標
3.1 引言
3.2 電路類型
3.3 無源元件結構
3.4 有源元件結構
3.5 CMOS器件的閂鎖效應
3.6 集成電路産品
3.7 小結
第4章 矽和矽片製備
目標
4.1 引言
4.2 半導體級矽
4.3 晶體結構
4.4 晶嚮
4.5 單晶矽生長
4.6 矽中的晶體缺陷
4.7 矽片製備
4.8 質量測量
4.9 外延層
4.10 小結
第5章 半導體製造中的化學品
目標
5.1 引言
5.2 物質形態
5.3 材料的屬性
5.4 工藝用化學品
5.5 小結
第6章 矽片製造中的沾汙控製
目標
6.1 引言
6.2 沾汙的類型
6.3 沾汙的源與控製
6.4 矽片濕法清洗
6.5 小結
第7章 測量學和缺陷檢查
目標
7.1 引言
7.2 集成電路測量學
7.3 質量測量
7.4 分析設備
7.5 小結
第8章 工藝腔內的氣體控製
目標
8.1 引言
8.2 真空
8.3 真空泵
8.4 工藝腔內的氣流
8.5 殘氣分析器
8.6 等離子體
8.7 工藝腔的沾汙
8.8 小結
第9章 集成電路製造工藝概況
目標
9.1 引言
9.2 CMOS工藝流程
9.3 CMOS製作步驟
9.4 小結
第10章 氧化
目標
10.1 引言
10.2 氧化膜
10.3 熱氧化生長
10.4 高溫爐設備
10.5 臥式與立式爐
10.6 氧化工藝
10.7 質量測量
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