CMOS集成电路设计手册(第3版·基础篇)

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[美] R.,Jacob Baker 著,张徐亮,张雅丽,朱万经 译



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发表于2024-11-25

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图书介绍

出版社: 人民邮电出版社
ISBN:9787115337726
版次:01
商品编码:11405682
包装:平装
开本:16开
出版时间:2014-02-01
用纸:胶版纸
页数:342
正文语种:中文


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图书描述

内容简介

  《CMOS集成电路设计手册》讨论了CMOS电路设计的工艺、设计流程、EDA工具手段以及数字、模拟集成电路设计,并给出了一些相关设计实例,内容介绍由浅入深。该著作涵盖了从模型到器件,从电路到系统的全面内容,是一本综合的CMOS电路设计的工具书及参考书。
  《CMOS集成电路设计手册》英文原版书是作者近30年教学、科研经验的结晶,是CMOS集成电路设计领域的一本力作。《CMOS集成电路设计手册》已经过两次修订,目前为第3版,内容较第2版有了改进,补充了CMOS电路设计领域的一些新知识,使得本书较前一版内容更加详实。
  为了方便读者有选择性地学习,此次将《CMOS集成电路设计手册》分成3册出版,分别为基础篇、数字电路篇和模拟电路篇。本书作为基础篇,介绍了CMOS电路设计的工艺及基本电参数知识。本书可以作为CMOS基础知识的重要参考书,对工程师、科研人员及高校师生都有着较为重要的参考意义。

作者简介

R. Jacob (Jake) Baker是一位工程师、教育家以及发明家。他有超过20年的工程经验并在集成电路设计领域拥有超过200项的专利(包括正在申请中的)。Jake也是多本电路设计图书的作者。

内页插图

目录

目 录

第1章 CMOS设计概述 1
1.1 CMOS集成电路的设计流程 1
制造 2
1.2 CMOS背景 6
1.3 SPICE概述 8

第2章 阱 33
2.1 图形转移 34
n阱的图形转移 37
2.2 n阱版图设计 37
n阱的设计规则 38
2.3 电阻值计算 39
n阱电阻 40
2.4 n阱/衬底二极管 41
2.4.1 PN结物理学简介 41
2.4.2 耗尽层电容 45
2.4.3 存储或扩散电容 47
2.4.4 SPICE建模 49
2.5 n阱的RC延迟 51
2.6 双阱工艺 54

第3章 金属层 61
3.1 焊盘 61
焊盘版图设计 61
3.2 金属层的版图设计 64
3.2.1 metal1和via1 64
3.2.2 金属层的寄生效应 66
3.2.3 载流极限 69
3.2.4 金属层设计规则 70
3.2.5 触点电阻 71
3.3 串扰和地弹 72
3.3.1 串扰 72
3.3.2 地弹 73
3.4 版图举例 75
3.4.1 焊盘版图II 76
3.4.2 金属层测试结构版图设计 78

第4章 有源层和多晶硅层 83
4.1 使用有源层和多晶硅层进行版图设计 83
工艺流程 89
4.2 导线与多晶硅层和有源层的连接 92
4.3 静电放电(ESD)保护 100

第5章 电阻、电容、MOSFET 105
5.1 电阻 105
5.2 电容 113
5.3 MOSFET 116
5.4 版图实例 124

第6章 MOSFET工作原理 131
6.1 MOSFET的电容回顾 131
6.2 阈值电压 135
6.3 MOSFET的IV特性 140
6.3.1 工作在线性区的MOSFET 140
6.3.2 饱和区 142
6.4 MOSFET的SPICE模型 145
6.4.1 SPICE仿真实例 149
6.4.2 亚阈值电流 150
6.5 短沟道MOSFET 152
6.5.1 MOSFET缩比 153
6.5.2 短沟道效应 154
6.5.3 短沟道CMOS工艺的SPICE模型 155

第7章 CMOS制备 165
7.1 CMOS单元工艺步骤 165
7.1.1 晶圆的制造 165
7.1.2 热氧化 167
7.1.3 掺杂工艺 168
7.1.4 光刻 171
7.1.5 薄膜去除 174
7.1.6 薄膜沉积 177
7.2 CMOS工艺集成 181
7.2.1 前道工艺集成 183
7.2.2 后道工艺集成 202
7.3 后端工艺 213
7.4 总结 215

第8章 电噪声概述 217
8.1 信号 217
8.1.1 功率和能量 217
8.1.2 功率谱密度 219
8.2 电路噪声 222
8.2.1 电路噪声的计算和建模 223
8.2.2 热噪声 228
8.2.3 信噪比 234
8.2.4 散粒噪声 247
8.2.5 闪烁噪声 250
8.2.6 其他噪声源 257
8.3 讨论 259
8.3.1 相关性 259
8.3.2 噪声与反馈 264
8.3.3 有关符号的一些最后说明 267

第9章 模拟设计模型 275
9.1 长沟道MOSFET 275
9.1.1 平方律方程 277
9.1.2 小信号模型 284
9.1.3 温度效应 300
9.2 短沟道MOSFET 304
9.2.1 通用设计(起始点) 304
9.2.2 专用设计(讨论) 308
9.3 MOSFET噪声模型 310

第10章 数字设计模型 319
10.1 数字MOSFET模型 320
10.1.1 电容效应 323
10.1.2 工艺特征时间常数 324
10.1.3 延迟时间与跃迁时间 325
10.1.4 通用数字设计 328
10.2 MOSFET单管传输门电路 329
10.2.1 单管传输门的延迟时间 331
10.2.2 级联的单管传输门的延迟时间 333
10.3 关于测量的最后说明 334

附录 339

前言/序言


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用户评价

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非常不错的一本书籍

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CMOS集成电路设计手册 不错是正版

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内容一般般,不是很推荐

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物美价廉!

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"[ZZ]的这本[SM]真挺不错的,很值得看,价格也非常便宜,比实体店买便宜好多还省车费。 书的内容直得一读[BJTJ][NRJJ] 买回来觉得还是非常值的。我喜欢看书,喜欢看各种各样的书,看的很杂,文学名著,流行小说都看,只要作者的文笔不是太差,总能让我从头到脚看完整本书。只不过很多时候是当成故事来看,看完了感叹一番也就丢下了。所在来这里买书是非常明智的。这本书对我来说通过细腻的描述和犀利的评述,再机上和让我对该书了解了,也特别想拜读。通过读书我得到了很多好处古人云书中自有黄金屋,书中自有颜如玉。可见,古人对读书的情有独钟。其实,对于任何人而言,读书最大的好处在于它让求知的人从中获知,让无知的人变得有知。读史蒂芬?霍金的时间简史和果壳中的宇宙,畅游在粒子、生命和星体的处境中,感受智慧的光泽,犹如攀登高山一样,瞬间眼前呈现出仿佛九叠画屏般的开阔视野。于是,便像李白在诗中所写到的庐山秀出南斗旁,屏风九叠云锦张,影落明湖青黛光。对于坎坷曲折的人生道路而言,读书便是最佳的润滑剂。[QY] 太喜爱京东了。|给大家介绍本好书《我们如何走到这一步》自序:这些年,你过得怎么样我曾经想过,如果能时光穿梭,遇见从前的自己,是否可以和她做朋友。但我审慎地不敢发表意见。因为从前的自己是多么无知,这件事是很清楚的。就算怀着再复杂的爱去回望,没准儿也能气个半死,看着她在那条傻乎乎的路上跌跌撞撞前行,忍不住开口相劝,搞不好还会被她厌弃。你看天下的事情往往都是一厢情愿。当然我也忍住了各种吐槽,人总是要给自己留余地的,因为还有一种可能是,未来的自己回望现在,看见的还是一个人。好在现在不敢轻易放狠话了,所以总算显得比年轻的时候还有一分从容。但不管什么时候的你,都是你。这时间轴上反复上演的就是打怪兽的过程。过去困扰你的事情,现在已可轻易解决,但往往还有更大的boss在前面等你。“人怎么可能没有烦恼呢”——无论是你初中毕业的那个午后,或者多年后功成名就那一天,总有不同忧伤涌上心头:有些烦恼是钱可以解决的,而更伤悲的是有些烦恼是钱解决不了的。我们曾经在年少时想象的“等到什么什么的时候就一切都好起来了”根本就是个谬论。所以,只能咬着牙继续朝前走吧。[SZ]"

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宝贝不错,支持一下!

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包装简洁、尝试阅读中

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内容稍微有些过时,不过看看还可以

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