本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。

第1章绪论
1.1 半导体集成电路的发展过程
1.2 半导体集成电路的分类
1.2.1 按半导体集成电路规模分类
1.2.2 按电路功能分类
1.2.3 按有源器件的类型分类
1.2.4 按应用性质分类
1.3 半导体集成电路的发展特点
1.3.1 集成度不断提高
1.3.2 器件的特征尺寸不断缩小
1.3.3 化分工发展成熟
1.3.4 集成芯片的发展
1.3.5 半导体集成电路带动其他学科的发展
1.4 半导体集成电路可靠性评估体系
1.4.1 工艺可靠性评估
1.4.2 集成电路的主要失效模式
1.4.3 集成电路的主要失效机理
1.4.4 集成电路可靠性面临的挑战
参考文献
第2章半导体集成电路的基本工艺
2.1 氧化工艺
2.1.1 SiO2的性质
2.1.2 SiO2的作用
2.1.3 SiO2膜的制备
2.1.4 SiO2膜的检测
2.1.5 SiO2膜的主要缺陷
2.2 化学气相沉积法制备薄膜
2.2.1 化学气相沉积概述
2.2.2 化学气相沉积的主要反应类型
2.2.3 CVD制备薄膜
2.2.4 CVD掺杂
2.3 扩散掺杂工艺
2.3.1 扩散形式
2.3.2 常用杂质的扩散方法
2.3.3 扩散分布的分析
2.4 离子注入工艺
2.4.1 离子注入技术概述
2.4.2 离子注入的浓度分布与退火
2.5 光刻工艺
2.5.1 光刻工艺流程
2.5.2 光刻胶的曝光
2.5.3 光刻胶的曝光方式
2.5.4 32nm和22nm的光刻
2.5.5 光刻工艺产生的微缺陷
2.6 金属化工艺
2.6.1 金属化概述
2.6.2 金属膜的沉积方法
2.6.3 金属化工艺
2.6.4 Al/Si接触及其改进
2.6.5 阻挡层金属
2.6.6 Al膜的电迁移
2.6.7 金属硅化物
2.6.8 金属钨
2.6.9 铜互连工艺
参考文献
第3章缺陷的来源和控制
3.1 缺陷的基本概念
3.1.1 缺陷的分类
3.1.2 前端和后端引入的缺陷
3.2 引起缺陷的污染物
3.2.1 颗粒污染物
3.2.2 金属离子
3.2.3 有机物沾污
……
第4章半导体集成电路制造工艺
第5章半导体集成电路的主要失效机理
第6章可靠性数据的统计分析基础
第7章半导体集成电路的可靠性评
第8章可靠性测试结构的设计
第9章 MOS场效应晶体管的特性
第10章集成电路的可靠性仿真
第11章集成电路工艺失效机理的可靠性评
主要符号表
英文缩略词及术语