2.2.5 PN結的大注入效應
評分2.1.4 平衡PN結的載流子濃度分布
評分第4章 MOS場效應晶體管
評分本書較係統全麵地闡述瞭半導體物理的基礎知識和典型半導體器件的工作原理、工作特性。具體內容包括:半導體材料的基本性質、PN結機理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、半導體器件製備技術、Ga在SiO(2)/Si結構下的開管摻雜共6章。每章後附有內容小結、思考題和習題。書後有附錄,附錄A是《半導體物理與器件》的主要符號錶,附錄B是常用物理常數錶,附錄c是鍺、矽、砷化鎵主要物理性質錶,附錄D是求擴散結雜質濃度梯度的圖錶和方法。對《半導體物理與器件》各章內容可以單獨選擇或任意組閤使用。
評分1.1 半導體與基本晶體結構
評分1.7.1 擴散方程的建立
評分1.1.4 晶麵及其錶示方法
評分2.1.4 平衡PN結的載流子濃度分布
評分1.6.1 載流子的熱運動與漂移運動
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